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1702958RS1G 이미지AMI Semiconductor / ON Semiconductor

RS1G

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유품
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10+
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500+
$0.123
1000+
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규격
  • 제품 모델
    RS1G
  • 제조업체 / 브랜드
    AMI Semiconductor/onsemi
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    DIODE GEN PURP 400V 1A SMA
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    1.RS1G.pdf
    2.RS1G.pdf
    3.RS1G.pdf
  • 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우
    1.3V @ 1A
  • 전압 - 역방향 (Vr) (최대)
    400V
  • 제조업체 장치 패키지
    SMA (DO-214AC)
  • 속도
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • 연속
    -
  • 역 회복 시간 (trr)
    150ns
  • 포장
    Original-Reel®
  • 패키지 / 케이스
    DO-214AC, SMA
  • 다른 이름들
    RS1GFSDKR
  • 작동 온도 - 정션
    -55°C ~ 150°C
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    12 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 다이오드 유형
    Standard
  • 상세 설명
    Diode Standard 400V 1A Surface Mount SMA (DO-214AC)
  • 전류 - 누설 Vr에서 역방향
    5µA @ 400V
  • 전류 - 평균 정류 (Io)
    1A
  • VR, F @ 용량
    10pF @ 4V, 1MHz
  • 기본 부품 번호
    RS1G

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RS1E240GNTB

RS1E240GNTB

기술: MOSFET N-CH 30V 24A 8-HSOP

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
RS1E200BNTB

RS1E200BNTB

기술: MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
RS1E320GNTB

RS1E320GNTB

기술: MOSFET N-CH 30V 32A 8-HSOP

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
RS1G-13

RS1G-13

기술: DIODE GEN PURP 400V 1A SMA

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
RS1G-M3/5AT

RS1G-M3/5AT

기술: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
RS1G-E3/5AT

RS1G-E3/5AT

기술: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
RS1E240BNTB

RS1E240BNTB

기술: MOSFET N-CH 30V 24A 8HSOP

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
RS1E280GNTB

RS1E280GNTB

기술: MOSFET N-CH 30V 28A 8-HSOP

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
RS1G R3G

RS1G R3G

기술: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
RS1G M2G

RS1G M2G

기술: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
RS1G120MNTB

RS1G120MNTB

기술: MOSFET N-CH 40V 12A 8HSOP

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
RS1E200GNTB

RS1E200GNTB

기술: MOSFET N-CH 30V 20A 8-HSOP

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
RS1G-13-F

RS1G-13-F

기술: DIODE GEN PURP 400V 1A SMA

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
RS1E280BNTB

RS1E280BNTB

기술: MOSFET N-CH 30V 28A 8HSOP

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
RS1E300GNTB

RS1E300GNTB

기술: MOSFET N-CH 30V 30A 8-HSOP

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
RS1G/1

RS1G/1

기술: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
RS1G-M3/61T

RS1G-M3/61T

기술: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
RS1E180BNTB

RS1E180BNTB

기술: MOSFET N-CHANNEL 30V 60A 8-HSOP

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
RS1G-E3/61T

RS1G-E3/61T

기술: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
RS1E350BNTB

RS1E350BNTB

기술: MOSFET N-CH 30V 35A 8HSOP

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
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