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3097523RS1E350BNTB 이미지LAPIS Semiconductor

RS1E350BNTB

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유품
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10+
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100+
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500+
$1.009
1000+
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규격
  • 제품 모델
    RS1E350BNTB
  • 제조업체 / 브랜드
    LAPIS Technology
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 30V 35A 8HSOP
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    1.RS1E350BNTB.pdf
    2.RS1E350BNTB.pdf
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (최대)
    ±20V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    8-HSOP
  • 연속
    -
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    1.7 mOhm @ 35A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    35W (Tc)
  • 포장
    Original-Reel®
  • 패키지 / 케이스
    8-PowerTDFN
  • 다른 이름들
    RS1E350BNTBDKR
  • 작동 온도
    150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    7900pF @ 15V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    185nC @ 10V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    4.5V, 10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    30V
  • 상세 설명
    N-Channel 30V 35A (Ta) 35W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    35A (Ta)

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RS1E280BNTB

RS1E280BNTB

기술: MOSFET N-CH 30V 28A 8HSOP

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
RS1E240BNTB

RS1E240BNTB

기술: MOSFET N-CH 30V 24A 8HSOP

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
RS1E180BNTB

RS1E180BNTB

기술: MOSFET N-CHANNEL 30V 60A 8-HSOP

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
RS1G-E3/5AT

RS1G-E3/5AT

기술: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
RS1G M2G

RS1G M2G

기술: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
RS1G-13

RS1G-13

기술: DIODE GEN PURP 400V 1A SMA

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
RS1E300GNTB

RS1E300GNTB

기술: MOSFET N-CH 30V 30A 8-HSOP

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
RS1G R3G

RS1G R3G

기술: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
RS1G-M3/5AT

RS1G-M3/5AT

기술: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
RS1G-13-F

RS1G-13-F

기술: DIODE GEN PURP 400V 1A SMA

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
RS1E240GNTB

RS1E240GNTB

기술: MOSFET N-CH 30V 24A 8-HSOP

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
RS1G-E3/61T

RS1G-E3/61T

기술: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
RS1E200GNTB

RS1E200GNTB

기술: MOSFET N-CH 30V 20A 8-HSOP

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
RS1E320GNTB

RS1E320GNTB

기술: MOSFET N-CH 30V 32A 8-HSOP

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
RS1E200BNTB

RS1E200BNTB

기술: MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
RS1G-M3/61T

RS1G-M3/61T

기술: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
RS1E170GNTB

RS1E170GNTB

기술: MOSFET N-CH 30V 17A 8-HSOP

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
RS1E280GNTB

RS1E280GNTB

기술: MOSFET N-CH 30V 28A 8-HSOP

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
RS1G

RS1G

기술: DIODE GEN PURP 400V 1A SMA

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
RS1G/1

RS1G/1

기술: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
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