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3945708RS1E200BNTB 이미지LAPIS Semiconductor

RS1E200BNTB

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규격
  • 제품 모델
    RS1E200BNTB
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (최대)
    ±20V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    8-HSOP
  • 연속
    -
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    3.9 mOhm @ 20A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    3W (Ta), 25W (Tc)
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    8-PowerTDFN
  • 다른 이름들
    RS1E200BNTBTR
  • 작동 온도
    150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    40 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    3100pF @ 15V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    59nC @ 10V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    4.5V, 10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    30V
  • 상세 설명
    N-Channel 30V 20A (Ta) 3W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    20A (Ta)
RS1E240GNTB

RS1E240GNTB

기술: MOSFET N-CH 30V 24A 8-HSOP

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RS1DLHRTG

RS1DLHRTG

기술: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RS1DLHRVG

RS1DLHRVG

기술: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RS1E350BNTB

RS1E350BNTB

기술: MOSFET N-CH 30V 35A 8HSOP

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RS1E280BNTB

RS1E280BNTB

기술: MOSFET N-CH 30V 28A 8HSOP

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RS1DLHRUG

RS1DLHRUG

기술: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RS1E300GNTB

RS1E300GNTB

기술: MOSFET N-CH 30V 30A 8-HSOP

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RS1DLW RVG

RS1DLW RVG

기술: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123W

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RS1E320GNTB

RS1E320GNTB

기술: MOSFET N-CH 30V 32A 8-HSOP

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RS1DLWHRVG

RS1DLWHRVG

기술: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123W

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RS1E130GNTB

RS1E130GNTB

기술: MOSFET N-CH 30V 13A 8-HSOP

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RS1E170GNTB

RS1E170GNTB

기술: MOSFET N-CH 30V 17A 8-HSOP

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RS1E150GNTB

RS1E150GNTB

기술: MOSFET N-CH 30V 15A 8-HSOP

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RS1E200GNTB

RS1E200GNTB

기술: MOSFET N-CH 30V 20A 8-HSOP

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RS1E180BNTB

RS1E180BNTB

기술: MOSFET N-CHANNEL 30V 60A 8-HSOP

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RS1G

RS1G

기술: DIODE GEN PURP 400V 1A SMA

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RS1DTR

RS1DTR

기술: DIODE GEN PURP 200V 1A SMA

제조업체: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
유품
RS1G M2G

RS1G M2G

기술: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RS1E280GNTB

RS1E280GNTB

기술: MOSFET N-CH 30V 28A 8-HSOP

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RS1E240BNTB

RS1E240BNTB

기술: MOSFET N-CH 30V 24A 8HSOP

제조업체: LAPIS Semiconductor
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