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5561296RS1DLWHRVG 이미지TSC (Taiwan Semiconductor)

RS1DLWHRVG

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유품
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$0.05
30000+
$0.047
75000+
$0.044
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규격
  • 제품 모델
    RS1DLWHRVG
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123W
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
  • 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우
    1.3V @ 1A
  • 전압 - 역방향 (Vr) (최대)
    200V
  • 제조업체 장치 패키지
    SOD123W
  • 속도
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • 연속
    -
  • 역 회복 시간 (trr)
    150ns
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    SOD-123W
  • 다른 이름들
    RS1DLWHRVGTR
  • 작동 온도 - 정션
    -55°C ~ 175°C
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    12 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 다이오드 유형
    Standard
  • 상세 설명
    Diode Standard 200V 1A Surface Mount SOD123W
  • 전류 - 누설 Vr에서 역방향
    5µA @ 200V
  • 전류 - 평균 정류 (Io)
    1A
  • VR, F @ 용량
    -
RS1DLHMQG

RS1DLHMQG

기술: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RS1DTR

RS1DTR

기술: DIODE GEN PURP 200V 1A SMA

제조업체: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
유품
RS1DLHRFG

RS1DLHRFG

기술: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RS1E170GNTB

RS1E170GNTB

기술: MOSFET N-CH 30V 17A 8-HSOP

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RS1E180BNTB

RS1E180BNTB

기술: MOSFET N-CHANNEL 30V 60A 8-HSOP

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RS1DLHRVG

RS1DLHRVG

기술: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RS1E280BNTB

RS1E280BNTB

기술: MOSFET N-CH 30V 28A 8HSOP

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RS1DLHRUG

RS1DLHRUG

기술: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RS1E130GNTB

RS1E130GNTB

기술: MOSFET N-CH 30V 13A 8-HSOP

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RS1DLHR3G

RS1DLHR3G

기술: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RS1E200BNTB

RS1E200BNTB

기술: MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RS1E240GNTB

RS1E240GNTB

기술: MOSFET N-CH 30V 24A 8-HSOP

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RS1E150GNTB

RS1E150GNTB

기술: MOSFET N-CH 30V 15A 8-HSOP

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RS1E200GNTB

RS1E200GNTB

기술: MOSFET N-CH 30V 20A 8-HSOP

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RS1DLHRTG

RS1DLHRTG

기술: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RS1E240BNTB

RS1E240BNTB

기술: MOSFET N-CH 30V 24A 8HSOP

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RS1DLHMTG

RS1DLHMTG

기술: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RS1DLW RVG

RS1DLW RVG

기술: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123W

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RS1DLHRHG

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기술: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RS1DLHRQG

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기술: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
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