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4328772RS1DLHRTG 이미지TSC (Taiwan Semiconductor)

RS1DLHRTG

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유품
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규격
  • 제품 모델
    RS1DLHRTG
  • 제조업체 / 브랜드
    Taiwan Semiconductor
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    RS1DLHRTG.pdf
  • 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우
    1.3V @ 800mA
  • 전압 - 역방향 (Vr) (최대)
    200V
  • 제조업체 장치 패키지
    Sub SMA
  • 속도
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • 연속
    Automotive, AEC-Q101
  • 역 회복 시간 (trr)
    150ns
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    DO-219AB
  • 작동 온도 - 정션
    -55°C ~ 150°C
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    21 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 다이오드 유형
    Standard
  • 상세 설명
    Diode Standard 200V 800mA Surface Mount Sub SMA
  • 전류 - 누설 Vr에서 역방향
    5µA @ 200V
  • 전류 - 평균 정류 (Io)
    800mA
  • VR, F @ 용량
    10pF @ 4V, 1MHz

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RS1E130GNTB

RS1E130GNTB

기술: MOSFET N-CH 30V 13A 8-HSOP

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
RS1DLHRHG

RS1DLHRHG

기술: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
RS1DL RVG

RS1DL RVG

기술: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
RS1DLWHRVG

RS1DLWHRVG

기술: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123W

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
RS1E150GNTB

RS1E150GNTB

기술: MOSFET N-CH 30V 15A 8-HSOP

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
RS1DLHRVG

RS1DLHRVG

기술: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
RS1DLHMQG

RS1DLHMQG

기술: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
RS1DLHRFG

RS1DLHRFG

기술: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
RS1DLHMHG

RS1DLHMHG

기술: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
RS1DLHRUG

RS1DLHRUG

기술: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
RS1DLW RVG

RS1DLW RVG

기술: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123W

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
RS1E170GNTB

RS1E170GNTB

기술: MOSFET N-CH 30V 17A 8-HSOP

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
RS1E180BNTB

RS1E180BNTB

기술: MOSFET N-CHANNEL 30V 60A 8-HSOP

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
RS1DLHM2G

RS1DLHM2G

기술: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
RS1DL RUG

RS1DL RUG

기술: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
RS1DLHR3G

RS1DLHR3G

기술: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
RS1DLHRQG

RS1DLHRQG

기술: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
RS1DLHMTG

RS1DLHMTG

기술: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
RS1E200BNTB

RS1E200BNTB

기술: MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
RS1DTR

RS1DTR

기술: DIODE GEN PURP 200V 1A SMA

제조업체: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
유품
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