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S27KS0641DPBHB023

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  • 제품 모델
    S27KS0641DPBHB023
  • 제조업체 / 브랜드
    Cypress Semiconductor
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC DRAM 64M PARALLEL 166MHZ
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    S27KS0641DPBHB023.pdf
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    -
  • 전압 - 공급
    1.7 V ~ 1.95 V
  • 과학 기술
    DRAM
  • 연속
    Automotive, AEC-Q100, HyperRAM™ KS
  • 작동 온도
    -40°C ~ 105°C (TA)
  • 수분 민감도 (MSL)
    3 (168 Hours)
  • 메모리 유형
    Volatile
  • 메모리 크기
    64Mb (8M x 8)
  • 메모리 인터페이스
    Parallel
  • 메모리 형식
    DRAM
  • 제조업체 표준 리드 타임
    15 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 상세 설명
    DRAM Memory IC 64Mb (8M x 8) Parallel 166MHz 40ns
  • 클럭 주파수
    166MHz
  • 액세스 시간
    40ns

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제조업체: Cypress Semiconductor
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기술: IC DRAM 64M PARALLEL 24FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor
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기술: IC DRAM 64M PARALLEL 24FBGA

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