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S27KS0641DPBHI023

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  • 제품 모델
    S27KS0641DPBHI023
  • 제조업체 / 브랜드
    Cypress Semiconductor
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC DRAM 64M PARALLEL 24BGA
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    S27KS0641DPBHI023.pdf
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    -
  • 전압 - 공급
    1.7 V ~ 1.95 V
  • 과학 기술
    DRAM
  • 제조업체 장치 패키지
    24-BGA (6x8)
  • 연속
    HyperRAM™
  • 포장
    Cut Tape (CT)
  • 패키지 / 케이스
    24-TBGA
  • 다른 이름들
    428-3859-1
  • 작동 온도
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    3 (168 Hours)
  • 메모리 유형
    Volatile
  • 메모리 크기
    64Mb (8M x 8)
  • 메모리 인터페이스
    Parallel
  • 메모리 형식
    DRAM
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 상세 설명
    DRAM Memory IC 64Mb (8M x 8) Parallel 166MHz 40ns 24-BGA (6x8)
  • 클럭 주파수
    166MHz
  • 액세스 시간
    40ns

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제조업체: Cypress Semiconductor
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S27KS0641DPBHV020

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기술: IC DRAM 64M PARALLEL 24BGA

제조업체: Cypress Semiconductor
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기술: IC DRAM 64M PARALLEL 24FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor
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S27KL0641DABHB023

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기술: IC NOR

제조업체: Cypress Semiconductor
유품
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S27KL0641DABHI023

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기술: IC DRAM 64M PARALLEL 24FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor
유품
RFQ
S27KL0641DABHB033

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기술: IC 64 MB FLASH MEMORY

제조업체: Cypress Semiconductor
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RFQ
S27KL0641DABHV033

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기술: IC 64 MB FLASH MEMORY

제조업체: Cypress Semiconductor
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RFQ
S27KS0641DPBHA020

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기술: IC DRAM 64M PARALLEL 24BGA

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S27S300D15Y

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기술: SENSOR CURRENT HALL 300A AC/DC

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S27KL0641DABHI030

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기술: IC 64 MB FLASH MEMORY

제조업체: Cypress Semiconductor
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기술: IC DRAM 64M PARALLEL 24BGA

제조업체: Cypress Semiconductor
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기술: IC DRAM 64M PARALLEL 24FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor
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기술: IC DRAM 64M PARALLEL 24BGA

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