Electronica 2024의 방문자

지금 시간을 예약하세요!

당신의 장소를 예약하고 부스 티켓을 받기 위해 몇 번의 클릭만으로도 걸립니다.

홀 C5 부스 220

사전 등록

Electronica 2024의 방문자
당신은 모두 가입합니다! 약속을 잡아 주셔서 감사합니다!
예약을 확인하면 부스 티켓을 이메일로 보내드립니다.
> 제품 센터 > 이산 반도체 제품 > 트랜지스터-바이 폴라 (bjt)-싱글 > APT17NTR-G1
RFQs/주문 (0)
한국의
한국의
1829451APT17NTR-G1 이미지Diodes Incorporated

APT17NTR-G1

온라인 가격 조회

연락처 정보와 함께 필요한 모든 필드를 작성하십시오. "RFQ 제출"클릭 이메일로 알려 드리겠습니다.또는 이메일을 보내주십시오.info@ftcelectronics.com

참고 가격 (미국 달러 기준)

유품
1+
$0.37
10+
$0.304
100+
$0.162
500+
$0.106
1000+
$0.072
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    APT17NTR-G1
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    TRANS NPN 480V SOT23
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
  • 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)
    480V
  • IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대)
    -
  • 트랜지스터 유형
    NPN
  • 제조업체 장치 패키지
    SOT-23
  • 연속
    -
  • 전력 - 최대
    200mW
  • 포장
    Original-Reel®
  • 패키지 / 케이스
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 다른 이름들
    APT17NTR-G1DIDKR
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    24 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 주파수 - 전환
    -
  • 상세 설명
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 480V 50mA 200mW Surface Mount SOT-23
  • IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가
    20 @ 10mA, 20V
  • 전류 - 콜렉터 컷오프 (최대)
    -
  • 전류 - 콜렉터 (IC) (최대)
    50mA
APT19F100J

APT19F100J

기술: MOSFET N-CH 1000V 20A SOT-227

제조업체: Microsemi
유품
APT1608ZGC

APT1608ZGC

기술: LED GREEN CLEAR CHIP SMD

제조업체: Kingbright
유품
APT1608YC

APT1608YC

기술: LED YELLOW CLEAR CHIP SMD

제조업체: Kingbright
유품
APT17F120J

APT17F120J

기술: MOSFET N-CH 1200V 18A SOT-227

제조업체: Microsemi
유품
APT17N80SC3G

APT17N80SC3G

기술: MOSFET N-CH 800V 17A D3PAK

제조업체: Microsemi
유품
APT17F80S

APT17F80S

기술: MOSFET N-CH 800V 18A D3PAK

제조업체: Microsemi
유품
APT17N80BC3G

APT17N80BC3G

기술: MOSFET N-CH 800V 17A TO-247

제조업체: Microsemi
유품
APT17F100S

APT17F100S

기술: MOSFET N-CH 1000V 17A D3PAK

제조업체: Microsemi
유품
APT17F100B

APT17F100B

기술: MOSFET N-CH 1000V 17A TO-247

제조업체: Microsemi
유품
APT18M80S

APT18M80S

기술: MOSFET N-CH 800V 19A D3PAK

제조업체: Microsemi
유품
APT200GN60JDQ4

APT200GN60JDQ4

기술: IGBT 600V 283A 682W SOT227

제조업체: Microsemi
유품
APT18F60S

APT18F60S

기술: MOSFET N-CH 600V 19A D3PAK

제조업체: Microsemi
유품
APT19M120J

APT19M120J

기술: MOSFET N-CH 1200V 19A SOT-227

제조업체: Microsemi
유품
APT200GN60B2G

APT200GN60B2G

기술: IGBT 600V 283A 682W TO247

제조업체: Microsemi
유품
APT18M80B

APT18M80B

기술: MOSFET N-CH 800V 19A TO-247

제조업체: Microsemi
유품
APT18M100B

APT18M100B

기술: MOSFET N-CH 1000V 18A TO-247

제조업체: Microsemi
유품
APT17F80B

APT17F80B

기술: MOSFET N-CH 800V 18A TO-247

제조업체: Microsemi
유품
APT18F60B

APT18F60B

기술: MOSFET N-CH 600V 18A TO-247

제조업체: Microsemi
유품
APT1608ZGCK

APT1608ZGCK

기술: LED GREEN CLEAR CHIP SMD

제조업체: Kingbright
유품
APT200GN60J

APT200GN60J

기술: IGBT 600V 283A 682W SOT227

제조업체: Microsemi
유품

언어 선택

종료하려면 공간을 클릭하십시오