Electronica 2024의 방문자

지금 시간을 예약하세요!

당신의 장소를 예약하고 부스 티켓을 받기 위해 몇 번의 클릭만으로도 걸립니다.

홀 C5 부스 220

사전 등록

Electronica 2024의 방문자
당신은 모두 가입합니다! 약속을 잡아 주셔서 감사합니다!
예약을 확인하면 부스 티켓을 이메일로 보내드립니다.
> 제품 센터 > 이산 반도체 제품 > 트랜지스터-igbt-모듈 > APT200GN60JDQ4
RFQs/주문 (0)
한국의
한국의
3867540APT200GN60JDQ4 이미지Microsemi

APT200GN60JDQ4

온라인 가격 조회

연락처 정보와 함께 필요한 모든 필드를 작성하십시오. "RFQ 제출"클릭 이메일로 알려 드리겠습니다.또는 이메일을 보내주십시오.info@ftcelectronics.com

참고 가격 (미국 달러 기준)

유품
1+
$37.78
10+
$34.947
30+
$32.114
100+
$29.847
250+
$27.391
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    APT200GN60JDQ4
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IGBT 600V 283A 682W SOT227
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
  • 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)
    600V
  • VGE, IC에서 @ (에) VCE (최대)
    1.85V @ 15V, 200A
  • 제조업체 장치 패키지
    ISOTOP®
  • 연속
    -
  • 전력 - 최대
    682W
  • 패키지 / 케이스
    ISOTOP
  • 다른 이름들
    APT200GN60JDQ4MI
  • 작동 온도
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • NTC 써미스터
    No
  • 실장 형
    Chassis Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    32 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 정전 용량 (CIES) @ Vce가
    14.1nF @ 25V
  • 입력
    Standard
  • IGBT 유형
    Trench Field Stop
  • 상세 설명
    IGBT Module Trench Field Stop Single 600V 283A 682W Chassis Mount ISOTOP®
  • 전류 - 콜렉터 컷오프 (최대)
    50µA
  • 전류 - 콜렉터 (IC) (최대)
    283A
  • 구성
    Single
APT19F100J

APT19F100J

기술: MOSFET N-CH 1000V 20A SOT-227

제조업체: Microsemi
유품
APT2012EC

APT2012EC

기술: LED RED CLEAR CHIP SMD

제조업체: Kingbright
유품
APT17NTR-G1

APT17NTR-G1

기술: TRANS NPN 480V SOT23

제조업체: Diodes Incorporated
유품
APT2012F3C

APT2012F3C

기술: EMITTER IR 940NM 50MA 0805

제조업체: Kingbright
유품
APT19M120J

APT19M120J

기술: MOSFET N-CH 1200V 19A SOT-227

제조업체: Microsemi
유품
APT18M80S

APT18M80S

기술: MOSFET N-CH 800V 19A D3PAK

제조업체: Microsemi
유품
APT18M100B

APT18M100B

기술: MOSFET N-CH 1000V 18A TO-247

제조업체: Microsemi
유품
APT200GN60JDQ4G

APT200GN60JDQ4G

기술: IGBT 600V 283A 682W SOT227

제조업체: Microsemi
유품
APT200GN60B2G

APT200GN60B2G

기술: IGBT 600V 283A 682W TO247

제조업체: Microsemi
유품
APT2012LSECK/J4-PRV

APT2012LSECK/J4-PRV

기술: LED ORANGE CLEAR 2SMD

제조업체: Kingbright
유품
APT200GN60JG

APT200GN60JG

기술: IGBT 600V 283A 682W SOT227

제조업체: Microsemi
유품
APT2012LSECK/J3-PRV

APT2012LSECK/J3-PRV

기술: LED RED CLEAR 2SMD

제조업체: Kingbright
유품
APT2012LSYCK/J3-PRV

APT2012LSYCK/J3-PRV

기술: LED YELLOW CLEAR 2SMD

제조업체: Kingbright
유품
APT18F60B

APT18F60B

기술: MOSFET N-CH 600V 18A TO-247

제조업체: Microsemi
유품
APT200GT60JR

APT200GT60JR

기술: IGBT 600V 195A ISOTOP

제조업체: Microsemi
유품
APT200GN60J

APT200GN60J

기술: IGBT 600V 283A 682W SOT227

제조업체: Microsemi
유품
APT18M80B

APT18M80B

기술: MOSFET N-CH 800V 19A TO-247

제조업체: Microsemi
유품
APT2012LVBC/D

APT2012LVBC/D

기술: LED BLUE CLEAR 2SMD

제조업체: Kingbright
유품
APT2012CGCK

APT2012CGCK

기술: LED GREEN CLEAR CHIP SMD

제조업체: Kingbright
유품
APT18F60S

APT18F60S

기술: MOSFET N-CH 600V 19A D3PAK

제조업체: Microsemi
유품

언어 선택

종료하려면 공간을 클릭하십시오