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APT18F60B

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유품
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규격
  • 제품 모델
    APT18F60B
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 600V 18A TO-247
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
  • ECAD 모델
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    5V @ 1mA
  • Vgs (최대)
    ±30V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    TO-247 [B]
  • 연속
    -
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    390 mOhm @ 9A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    335W (Tc)
  • 포장
    Tube
  • 패키지 / 케이스
    TO-247-3
  • 다른 이름들
    APT18F60BMI
    APT18F60BMI-ND
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    11 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    3550pF @ 25V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    90nC @ 10V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    600V
  • 상세 설명
    N-Channel 600V 19A (Tc) 335W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    19A (Tc)
APT1608ZGCK

APT1608ZGCK

기술:

제조업체: Kingbright
유품
APT200GN60J

APT200GN60J

기술: IGBT 600V 283A 682W SOT227

제조업체: Microsemi
유품
APT1608ZGC

APT1608ZGC

기술: LED GREEN CLEAR CHIP SMD

제조업체: Kingbright
유품
APT18F60S

APT18F60S

기술: MOSFET N-CH 600V 19A D3PAK

제조업체: Microsemi
유품
APT18M100B

APT18M100B

기술: MOSFET N-CH 1000V 18A TO-247

제조업체: Microsemi
유품
APT18M80B

APT18M80B

기술: MOSFET N-CH 800V 19A TO-247

제조업체: Microsemi
유품
APT18M80S

APT18M80S

기술: MOSFET N-CH 800V 19A D3PAK

제조업체: Microsemi
유품
APT200GN60JDQ4

APT200GN60JDQ4

기술: IGBT 600V 283A 682W SOT227

제조업체: Microsemi
유품
APT17N80BC3G

APT17N80BC3G

기술: MOSFET N-CH 800V 17A TO-247

제조업체: Microsemi
유품
APT17F100S

APT17F100S

기술: MOSFET N-CH 1000V 17A D3PAK

제조업체: Microsemi
유품
APT17F100B

APT17F100B

기술: MOSFET N-CH 1000V 17A TO-247

제조업체: Microsemi
유품
APT19F100J

APT19F100J

기술: MOSFET N-CH 1000V 20A SOT-227

제조업체: Microsemi
유품
APT17F120J

APT17F120J

기술: MOSFET N-CH 1200V 18A SOT-227

제조업체: Microsemi
유품
APT17N80SC3G

APT17N80SC3G

기술: MOSFET N-CH 800V 17A D3PAK

제조업체: Microsemi
유품
APT17NTR-G1

APT17NTR-G1

기술:

제조업체: Diodes Incorporated
유품
APT19M120J

APT19M120J

기술: MOSFET N-CH 1200V 19A SOT-227

제조업체: Microsemi
유품
APT200GN60JDQ4G

APT200GN60JDQ4G

기술: IGBT 600V 283A 682W SOT227

제조업체: Microsemi
유품
APT17F80B

APT17F80B

기술: MOSFET N-CH 800V 18A TO-247

제조업체: Microsemi
유품
APT200GN60B2G

APT200GN60B2G

기술: IGBT 600V 283A 682W TO247

제조업체: Microsemi
유품
APT17F80S

APT17F80S

기술: MOSFET N-CH 800V 18A D3PAK

제조업체: Microsemi
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