Electronica 2024의 방문자

지금 시간을 예약하세요!

당신의 장소를 예약하고 부스 티켓을 받기 위해 몇 번의 클릭만으로도 걸립니다.

홀 C5 부스 220

사전 등록

*회사명
*이름
*제목

*이메일 주소
*전화 번호

*국가
*접촉 창
*이벤트 날짜

*메시지

Electronica 2024의 방문자

당신은 모두 가입합니다! 약속을 잡아 주셔서 감사합니다!
예약을 확인하면 부스 티켓을 이메일로 보내드립니다.

집 > 제품 센터 > 이산 반도체 제품 > 트랜지스터-fet, 모스 펫-어레이 > DMG4511SK4-13

RFQs/주문 (0)

한국의

한국의

3185856

DMG4511SK4-13

온라인 가격 조회

연락처 정보와 함께 필요한 모든 필드를 작성하십시오. "RFQ 제출"클릭 이메일로 알려 드리겠습니다.또는 이메일을 보내주십시오.info@ftcelectronics.com

참고 가격 (미국 달러 기준)

유품

1+

$0.92

10+

$0.804

100+

$0.62

500+

$0.46

1000+

$0.368

온라인 문의

규격

제품 모델

DMG4511SK4-13
제조업체 / 브랜드

Diodes Incorporated
재고 수량

유품
기술

MOSFET N/P-CH 35V TO252-4L
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
사양서

DMG4511SK4-13.pdf
아이디 @ VGS (일) (최대)

3V @ 250µA
제조업체 장치 패키지

TO-252-4L
연속

-
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)

35 mOhm @ 8A, 10V
전력 - 최대

1.54W
포장

Cut Tape (CT)
패키지 / 케이스

TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
다른 이름들

DMG4511SK4-13DICT
작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형

Surface Mount
수분 민감도 (MSL)

1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임

32 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

850pF @ 25V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs

18.7nC @ 10V
FET 유형

N and P-Channel, Common Drain
FET 특징

Logic Level Gate
소스 전압에 드레인 (Vdss)

35V
상세 설명

Mosfet Array N and P-Channel, Common Drain 35V 5.3A, 5A 1.54W Surface Mount TO-252-4L
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.3A, 5A
기본 부품 번호

DMG4511

관련 뉴스
배송
지불 방법

KIOXIA는 11 월 22 일에 상장 승인을 받고 시장 가치는 50 억 ...

2024년11월21일

Tower Semiconductor의 최신 실리콘 광학 플랫폼

2024년11월20일

업계는 천천히 회복됩니다.Epitaxial 공급 업체 IQE는 중국 대...

2024년11월19일

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024년11월19일

The core value and future development trend of passive comp...

2024년11월18일

공급 업체 : 많은 RTX 50 시리즈 GPU 구성 요소가 12 월에 제공...

2024년11월18일

대만, 중국 반도체의 출력 가치는 올해 22% 증가한 $ 5.3 ...

2024년11월17일

OLED 패널 생산 확장 LG 디스플레이는 베트남에 10 억 달러를 ...

2024년11월15일

아마존

2024년11월14일

Pegatron의 Q3 순이익은 NT $ 4.296 Billion, 분기별로 23.1...

2024년11월13일

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024년11월13일

한국은 트럼프의 위협에 대항하기 위해 칩 법을 제정 할 계획입...

2024년11월13일

배송

지불

다음은 "DMG4511SK4-13"관련 제품입니다.

DMG4932LSD-13

기술: MOSFET 2N-CH 30V 9.5A 8SO

제조업체: Diodes Incorporated

유품

DMG4712SSS-13

기술: MOSFET N-CH 30V 11.2A 8SOIC

제조업체: Diodes Incorporated

유품

DMG4413LSS-13

기술: MOSFET P-CH 30V 10.5A SOP8L

제조업체: Diodes Incorporated

유품

DMG4822SSDQ-13

기술: MOSFETDUAL N-CHAN 30VSO-8

제조업체: Diodes Incorporated

유품

DMG4800LSD-13

기술: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SO

제조업체: Diodes Incorporated

유품

DMG4710SSS-13

기술: MOSFET N-CH 30V 12.7A 8SO

제조업체: Diodes Incorporated

유품

DMG4466SSSL-13

기술: MOSFET N-CH 30V 10A 8SO

제조업체: Diodes Incorporated

유품

DMG4800LK3-13

기술: MOSFET N-CH 30V 10A TO252

제조업체: Diodes Incorporated

유품

DMG4407SSS-13

기술: MOSFET P-CH 30V 9.9A 8-SO

제조업체: Diodes Incorporated

유품

DMG4496SSS-13

기술: MOSFET N-CH 30V 10A 8SO

제조업체: Diodes Incorporated

유품

DMG4466SSS-13

기술: MOSFET N-CH 30V 10A 8SO

제조업체: Diodes Incorporated

유품

DMG4406LSS-13

기술: MOSFET N CH 30V 10.3A 8-SO

제조업체: Diodes Incorporated

유품

DMG4435SSS-13

기술: MOSFET P-CH 30V 7.3A 8SOIC

제조업체: Diodes Incorporated

유품

DMG4468LFG-7

기술: MOSFET N-CH 30V 7.62A DFN3030-8

제조업체: Diodes Incorporated

유품

DMG4468LFG

기술: MOSFET N-CH 30V 7.62A 8DFN

제조업체: Diodes Incorporated

유품

DMG4800LFG-7

기술: MOSFET N-CH 30V 7.44A 8DFN

제조업체: Diodes Incorporated

유품

DMG4468LK3-13

기술: MOSFET N-CH 30V 9.7A TO252

제조업체: Diodes Incorporated

유품

DMG4812SSS-13

기술: MOSFET N-CH 30V 8A 8-SO

제조업체: Diodes Incorporated

유품

DMG4822SSD-13

기술: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO

제조업체: Diodes Incorporated

유품

DMG4N60SCT

DMG4N60SCT

기술: MOSFET NCH 600V 4.5A TO220

제조업체: Diodes Incorporated

유품

우리는 유일한 공개 오픈 마켓 유통 업체로서 글로벌 액세스, 제조 업계 전문 지식 및 입증 된 품질의 고유 한 조합을 보유하고 있습니다.이를 통해 전자 부품 소싱 및 인벤토리 관리를위한 맞춤형 엔드 투 엔드 공급망 솔루션을 만들 수 있습니다.

팔로우

이용 약관 침해 정책 조회를 요청하다 우리에 대해 문의하기 사이트 맵

언어 선택

종료하려면 공간을 클릭하십시오

현재 언어

국가 또는 지역을 선택하십시오.