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DMG4N60SCT

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유품
50+
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온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    DMG4N60SCT
  • 제조업체 / 브랜드
    Diodes Incorporated
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET NCH 600V 4.5A TO220
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    납 함유 / RoHS 준수
  • 사양서
    DMG4N60SCT.pdf
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    4.5V @ 250µA
  • Vgs (최대)
    ±30V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    TO-220AB
  • 연속
    -
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    2.5 Ohm @ 2A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    113W (Ta)
  • 포장
    Tube
  • 패키지 / 케이스
    TO-220-3
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    30 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Contains lead / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    532pF @ 25V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    14.3nC @ 10V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    600V
  • 상세 설명
    N-Channel 600V 4.5A (Ta) 113W (Ta) Through Hole TO-220AB
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    4.5A (Ta)

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DMG4710SSS-13

DMG4710SSS-13

기술: MOSFET N-CH 30V 12.7A 8SO

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMG4800LFG-7

DMG4800LFG-7

기술: MOSFET N-CH 30V 7.44A 8DFN

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMG4511SK4-13

DMG4511SK4-13

기술: MOSFET N/P-CH 35V TO252-4L

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMG4932LSD-13

DMG4932LSD-13

기술: MOSFET 2N-CH 30V 9.5A 8SO

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMG4800LK3-13

DMG4800LK3-13

기술: MOSFET N-CH 30V 10A TO252

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMG4800LSD-13

DMG4800LSD-13

기술: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SO

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMG563010R

DMG563010R

기술: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5

제조업체: Panasonic
유품
RFQ
DMG4822SSD-13

DMG4822SSD-13

기술: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMG4N60SJ3

DMG4N60SJ3

기술: MOSFET NCH 600V 3A TO251

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMG4N65CT

DMG4N65CT

기술: MOSFET N CH 650V 4A TO220-3

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMG563020R

DMG563020R

기술: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5

제조업체: Panasonic
유품
RFQ
DMG563H50R

DMG563H50R

기술: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5

제조업체: Panasonic
유품
RFQ
DMG504010R

DMG504010R

기술: TRANS NPN/PNP 50V 0.1A SMINI6

제조업체: Panasonic
유품
RFQ
DMG4N65CTI

DMG4N65CTI

기술: MOSFET N-CH 650V 4A ITO-220AB

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMG4812SSS-13

DMG4812SSS-13

기술: MOSFET N-CH 30V 8A 8-SO

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMG4822SSDQ-13

DMG4822SSDQ-13

기술: MOSFETDUAL N-CHAN 30VSO-8

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMG563H40R

DMG563H40R

기술: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5

제조업체: Panasonic
유품
RFQ
DMG4712SSS-13

DMG4712SSS-13

기술: MOSFET N-CH 30V 11.2A 8SOIC

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMG4N60SK3-13

DMG4N60SK3-13

기술: MOSFET BVDSS: 501V 650V TO252 T&

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMG563H10R

DMG563H10R

기술: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5

제조업체: Panasonic
유품
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