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1974265DMG4710SSS-13 이미지Diodes Incorporated

DMG4710SSS-13

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유품
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규격
  • 제품 모델
    DMG4710SSS-13
  • 제조업체 / 브랜드
    Diodes Incorporated
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 30V 12.7A 8SO
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    DMG4710SSS-13.pdf
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    2.3V @ 250µA
  • Vgs (최대)
    ±12V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    8-SOP
  • 연속
    -
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    12.5 mOhm @ 11.7A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    1.54W (Ta)
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 다른 이름들
    DMG4710SSS-13DITR
    DMG4710SSS13
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    32 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    1849pF @ 15V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    43nC @ 10V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    Schottky Diode (Body)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    4.5V, 10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    30V
  • 상세 설명
    N-Channel 30V 8.8A (Ta) 1.54W (Ta) Surface Mount 8-SOP
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    8.8A (Ta)

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DMG4822SSD-13

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기술: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO

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DMG4466SSSL-13

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DMG4407SSS-13

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DMG4800LFG-7

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DMG4812SSS-13

DMG4812SSS-13

기술: MOSFET N-CH 30V 8A 8-SO

제조업체: Diodes Incorporated
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DMG4413LSS-13

DMG4413LSS-13

기술: MOSFET P-CH 30V 10.5A SOP8L

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