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EPC8005ENGR

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  • 제품 모델
    EPC8005ENGR
  • 제조업체 / 브랜드
    EPC
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    TRANS GAN 65V 2.9A BUMPED DIE
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    1.EPC8005ENGR.pdf
    2.EPC8005ENGR.pdf
  • 전압 - 테스트
    29pF @ 32.5V
  • 전압 - 파괴
    Die
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    275 mOhm @ 500mA, 5V
  • 과학 기술
    GaNFET (Gallium Nitride)
  • 연속
    eGaN®
  • RoHS 상태
    Tray
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    2.9A (Ta)
  • 편광
    Die
  • 다른 이름들
    917-EPC8005ENGR
    EPC8005ENGH
  • 작동 온도
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 부품 번호
    EPC8005ENGR
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    0.22nC @ 5V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    2.5V @ 250µA
  • FET 특징
    N-Channel
  • 확장 설명
    N-Channel 65V 2.9A (Ta) Surface Mount Die
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    -
  • 기술
    TRANS GAN 65V 2.9A BUMPED DIE
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    65V
  • 용량 비율
    -

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EPC8010

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EPC8004ENGR

기술: TRANS GAN 40V 4.4A BUMPED DIE

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EPC4QI100

기술: IC CONFIG DEVICE 4MBIT 100QFP

제조업체: Altera (Intel® Programmable Solutions Group)
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EPC8009

EPC8009

기술: TRANS GAN 65V 2.7A BUMPED DIE

제조업체: EPC
유품
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EPC4QC100N

EPC4QC100N

기술: IC CONFIG DEVICE 4MBIT 100QFP

제조업체: Altera (Intel® Programmable Solutions Group)
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EPC8010ENGR

기술: TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE

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유품
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EPC8008ENGR

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기술: TRANS GAN 40V 2.7A BUMPED DIE

제조업체: EPC
유품
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EPC8003ENGR

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기술: TRANS GAN 100V 2.5A BUMPED DIE

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기술: IC CONFIG DEVICE

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EPC8007ENGR

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EPC8QI100

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기술: IC CONFIG DEVICE 8MBIT 100QFP

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EPC8QC100

EPC8QC100

기술: IC CONFIG DEVICE 8MBIT 100QFP

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EPC8002

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기술: TRANS GAN 65V 2.7A BUMPED DIE

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기술: IC CONFIG DEVICE 8MBIT 100QFP

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기술: TRANS GAN 40V 2.7A BUMPED DIE

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