EPC8009

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규격

제품 모델

EPC8009
제조업체 / 브랜드

EPC
재고 수량

유품
기술

TRANS GAN 65V 2.7A BUMPED DIE
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
사양서

1.EPC8009.pdf
2.EPC8009.pdf
아이디 @ VGS (일) (최대)

2.5V @ 250µA
Vgs (최대)

+6V, -4V
과학 기술

GaNFET (Gallium Nitride)
제조업체 장치 패키지

Die
연속

eGaN®
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)

130 mOhm @ 500mA, 5V
전력 소비 (최대)

-
포장

Cut Tape (CT)
패키지 / 케이스

Die
다른 이름들

917-1078-1
작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)
실장 형

Surface Mount
수분 민감도 (MSL)

1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임

12 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

52pF @ 32.5V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs

0.45nC @ 5V
FET 유형

N-Channel
FET 특징

-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

5V
소스 전압에 드레인 (Vdss)

65V
상세 설명

N-Channel 65V 2.7A (Ta) Surface Mount Die
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.7A (Ta)

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기술: IC CONFIG DEVICE 8MBIT 100QFP

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기술: TRANS GAN 65V 2.7A BUMPED DIE

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