GAP05SLT80-220

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제품 모델

GAP05SLT80-220
제조업체 / 브랜드

GeneSiC Semiconductor
재고 수량

유품
기술

DIODE SCHOTTKY 8KV 50MA AXIAL
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
사양서

GAP05SLT80-220.pdf
전압 - 피크 역 (최대)

Silicon Carbide Schottky
전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우

50mA (DC)
전압 - 파괴

-
연속

-
RoHS 상태

Tube
역 회복 시간 (trr)

No Recovery Time > 500mA (Io)
만약, F @ 저항

25pF @ 1V, 1MHz
편광

Axial
다른 이름들

1242-1257
작동 온도 - 정션

0ns
실장 형

Through Hole
수분 민감도 (MSL)

1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임

18 Weeks
제조업체 부품 번호

GAP05SLT80-220
확장 설명

Diode Silicon Carbide Schottky 8000V (8kV) 50mA (DC) Through Hole
다이오드 구성

3.8µA @ 8000V
기술

DIODE SCHOTTKY 8KV 50MA AXIAL
전류 - 누설 Vr에서 역방향

4.6V @ 50mA
전류 - 평균 정류 (Io) (다이오드 당)

8000V (8kV)
VR, F @ 용량

-55°C ~ 175°C

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제조업체: Fairchild/ON Semiconductor

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기술: DIODE SCHOTTKY 250V 40A TO220AB

제조업체: ON Semiconductor

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기술: DIODE GEN PURP 150V 2A DO220AA

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay

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기술: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division

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