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2108240GAP3SLT33-214 이미지GeneSiC Semiconductor

GAP3SLT33-214

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유품
1+
$20.62
10+
$18.743
100+
$15.931
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규격
  • 제품 모델
    GAP3SLT33-214
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    DIODE SCHOTTKY 3.3KV 300MA DO214
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
  • ECAD 모델
  • 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우
    2.2V @ 300mA
  • 전압 - 역방향 (Vr) (최대)
    3300V
  • 제조업체 장치 패키지
    DO-214AA
  • 속도
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • 연속
    -
  • 역 회복 시간 (trr)
    0ns
  • 포장
    Original-Reel®
  • 패키지 / 케이스
    DO-214AA, SMB
  • 다른 이름들
    1242-1172-6
  • 작동 온도 - 정션
    -55°C ~ 175°C
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    18 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 다이오드 유형
    Silicon Carbide Schottky
  • 상세 설명
    Diode Silicon Carbide Schottky 3300V 300mA (DC) Surface Mount DO-214AA
  • 전류 - 누설 Vr에서 역방향
    10µA @ 3300V
  • 전류 - 평균 정류 (Io)
    300mA (DC)
  • VR, F @ 용량
    42pF @ 1V, 1MHz
  • 기본 부품 번호
    GAP3SLT33
AU2PJHM3_A/I

AU2PJHM3_A/I

기술: DIODE AVALANCHE 600V 1.6A TO277A

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SMMSD4148T3G

SMMSD4148T3G

기술: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD123

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
SHV-06JV1

SHV-06JV1

기술: IC RECT DIODE HV AXIAL

제조업체: Sanken Electric Co., Ltd.
유품
GAP05SLT80-220

GAP05SLT80-220

기술: DIODE SCHOTTKY 8KV 50MA AXIAL

제조업체: GeneSiC Semiconductor
유품
1N4942GP-M3/73

1N4942GP-M3/73

기술: DIODE GEN PURPOSE DO-204AL

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
BYT51D-TAP

BYT51D-TAP

기술: DIODE AVALANCHE 200V 1.5A SOD57

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
XBS304S17R-G

XBS304S17R-G

기술: DIODE SCHOTTKY 40V 3A SMA

제조업체: Torex Semiconductor Ltd
유품
BYM13-40HE3/97

BYM13-40HE3/97

기술: DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO213AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
GL41T-E3/97

GL41T-E3/97

기술: DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO213AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
PR3003-T

PR3003-T

기술: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD

제조업체: Diodes Incorporated
유품
B130Q-13-F

B130Q-13-F

기술: DIODE SCHOTTKY 30V 1A SMA

제조업체: Diodes Incorporated
유품
SS14HE3_A/I

SS14HE3_A/I

기술: DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO214AC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
VS-5EWH06FNTRRHM3

VS-5EWH06FNTRRHM3

기술: DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
GAP185

GAP185

기술: FRONT SAFETY COVER CC185-800

제조업체: Carlo Gavazzi
유품
JANTXV1N6621U

JANTXV1N6621U

기술: DIODE GEN PURP 400V 1.2A A-MELF

제조업체: Microsemi Corporation
유품
NRVB30H100MFST3G

NRVB30H100MFST3G

기술: DIODE SCHOTTKY 100V 30A 5DFN

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
S2BHR5G

S2BHR5G

기술: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
GAP3SLT33-220FP

GAP3SLT33-220FP

기술: DIODE SCHOTTKY 3.3KV 300MA TO220

제조업체: GeneSiC Semiconductor
유품
S5GHM3/57T

S5GHM3/57T

기술: DIODE GP 400V 5A DO214AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
GAP9

GAP9

기술: FRONT SAFETY COVER CC9-150

제조업체: Carlo Gavazzi
유품

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