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5788013GAP3SLT33-220FP 이미지GeneSiC Semiconductor

GAP3SLT33-220FP

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유품
1+
$17.67
10+
$16.065
25+
$14.86
100+
$13.655
250+
$12.45
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    GAP3SLT33-220FP
  • 제조업체 / 브랜드
    GeneSiC Semiconductor
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    DIODE SCHOTTKY 3.3KV 300MA TO220
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    GAP3SLT33-220FP.pdf
  • 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우
    1.7V @ 300mA
  • 전압 - 역방향 (Vr) (최대)
    3300V
  • 제조업체 장치 패키지
    TO-220FP
  • 속도
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • 연속
    -
  • 역 회복 시간 (trr)
    0ns
  • 포장
    Tube
  • 패키지 / 케이스
    TO-220-2 Full Pack
  • 다른 이름들
    1242-1183
    GAP3SLT33220FP
  • 작동 온도 - 정션
    -55°C ~ 175°C
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    18 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 다이오드 유형
    Silicon Carbide Schottky
  • 상세 설명
    Diode Silicon Carbide Schottky 3300V 300mA Through Hole TO-220FP
  • 전류 - 누설 Vr에서 역방향
    5µA @ 3300V
  • 전류 - 평균 정류 (Io)
    300mA
  • VR, F @ 용량
    42pF @ 1V, 1MHz
  • 기본 부품 번호
    GAP3SLT33

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SFS1003GHMNG

SFS1003GHMNG

기술: DIODE GEN PURP 150V 10A TO263AB

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
LL4002G L0

LL4002G L0

기술: DIODE GEN PURP 100V 1A MELF

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
GAP9

GAP9

기술: FRONT SAFETY COVER CC9-150

제조업체: Carlo Gavazzi
유품
RFQ
MBR1690HC0G

MBR1690HC0G

기술: DIODE SCHOTTKY 90V 16A TO220AC

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
GAP185

GAP185

기술: FRONT SAFETY COVER CC185-800

제조업체: Carlo Gavazzi
유품
RFQ
FESF16HTHE3/45

FESF16HTHE3/45

기술: DIODE GEN PURP 500V 16A ITO220AC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
GAP3SLT33-214

GAP3SLT33-214

기술: DIODE SCHOTTKY 3.3KV 300MA DO214

제조업체: GeneSiC Semiconductor
유품
RFQ
RS1M M2G

RS1M M2G

기술: DIODE GEN PURP 1A DO214AC

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
GAP05SLT80-220

GAP05SLT80-220

기술: DIODE SCHOTTKY 8KV 50MA AXIAL

제조업체: GeneSiC Semiconductor
유품
RFQ
CDBF00340-HF

CDBF00340-HF

기술: DIODE SCHOTTKY 40V 30MA 1005

제조업체: Comchip Technology
유품
RFQ
1N5406GP-TP

1N5406GP-TP

기술: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

제조업체: Micro Commercial Components (MCC)
유품
RFQ
BAV101 L1G

BAV101 L1G

기술: DIODE GP 250V 200MA MINIMELF

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
S1PMHE3/85A

S1PMHE3/85A

기술: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO220AA

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SURS8140T3G-VF01

SURS8140T3G-VF01

기술: DIODE GEN PURP 400V 1A SMB

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
TSF20H120C-S C0G

TSF20H120C-S C0G

기술: DIODE SCHOTTKY 120V 10A ITO220AB

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
UH10FT-E3/4W

UH10FT-E3/4W

기술: DIODE GEN PURP 300V 10A TO220AC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
BYG20GHE3_A/I

BYG20GHE3_A/I

기술: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A DO214

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
CDSV-21-G

CDSV-21-G

기술: DIODE GEN PURP 200V 200MA SOD323

제조업체: Comchip Technology
유품
RFQ
JANTX1N5804URS

JANTX1N5804URS

기술: DIODE GEN PURP 100V 1A APKG

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
ESH1PC-M3/84A

ESH1PC-M3/84A

기술: DIODE GEN PURP 150V 1A DO220AA

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
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