Electronica 2024의 방문자

지금 시간을 예약하세요!

당신의 장소를 예약하고 부스 티켓을 받기 위해 몇 번의 클릭만으로도 걸립니다.

홀 C5 부스 220

사전 등록

Electronica 2024의 방문자
당신은 모두 가입합니다! 약속을 잡아 주셔서 감사합니다!
예약을 확인하면 부스 티켓을 이메일로 보내드립니다.
집 > 제품 센터 > 이산 반도체 제품 > 트랜지스터-이그bts-단일 > GPA015A120MN-ND
RFQs/주문 (0)
한국의
한국의
4545368GPA015A120MN-ND 이미지Global Power Technologies Group

GPA015A120MN-ND

온라인 가격 조회

연락처 정보와 함께 필요한 모든 필드를 작성하십시오. "RFQ 제출"클릭 이메일로 알려 드리겠습니다.또는 이메일을 보내주십시오.info@ftcelectronics.com

참고 가격 (미국 달러 기준)

유품
2500+
$1.463
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    GPA015A120MN-ND
  • 제조업체 / 브랜드
    SemiQ
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IGBT 1200V 30A 212W TO3PN
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    GPA015A120MN-ND.pdf
  • 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)
    1200V
  • VGE, IC에서 @ (에) VCE (최대)
    2.5V @ 15V, 15A
  • 시험 조건
    600V, 15A, 10 Ohm, 15V
  • Td (온 / 오프) @ 25 ° C
    25ns/166ns
  • 에너지 전환
    1.61mJ (on), 530µJ (off)
  • 제조업체 장치 패키지
    TO-3PN
  • 연속
    -
  • 역 회복 시간 (trr)
    320ns
  • 전력 - 최대
    212W
  • 포장
    Tube
  • 패키지 / 케이스
    TO-3P-3, SC-65-3
  • 다른 이름들
    1560-1215-1
    1560-1215-1-ND
    1560-1215-5
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 유형
    Standard
  • IGBT 유형
    NPT and Trench
  • 게이트 충전
    210nC
  • 상세 설명
    IGBT NPT and Trench 1200V 30A 212W Through Hole TO-3PN
  • 전류 - 콜렉터 펄스 (ICM)
    45A
  • 전류 - 콜렉터 (IC) (최대)
    30A

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025년1월13일

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024년12월31일

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024년12월23일

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024년12월12일

Microchip은 500 건의 해고를 발표했으며 구조 조정 비용은 3,8...

2024년12월4일

Quanta : AI 수요는 꾸준한 명령 스트림으로 계속 강력합니다.

2024년12월3일

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024년12월2일

삼성은 3D NAND 생산에서 Photoresist 사용을 크게 줄여 공급 ...

2024년12월2일

Vishay는 인수 된 NWF 웨이퍼 팹에 5,100 만 파운드를 투자 할 ...

2024년11월29일

트럼프의 관세 위협, Nvidia, Intel 공급 업체는 멕시코 계획을...

2024년11월28일

Intel은 미국 칩 법에 따라 7,800 억 달러의 보조금을 받고 110...

2024년11월27일

AMD는 방갈로르 디자인 센터의 두 번째 단계 건설을 시작합니다.

2024년11월26일
배송
지불
다음은 "GPA015A120MN-ND"관련 제품입니다.
GPA042A100L-ND

GPA042A100L-ND

기술: IGBT 1000V 60A 463W TO264

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
RFQ
GPA2000-0.010-02-0816

GPA2000-0.010-02-0816

기술: THERM PAD 406.4MMX203.2MM GRAY

제조업체: Bergquist
유품
RFQ
GPA040A120L-FD

GPA040A120L-FD

기술: IGBT 1200V 80A 480W TO264

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
RFQ
GPA030A120I-FD

GPA030A120I-FD

기술: IGBT 1200V 60A 329W TO247

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
RFQ
GPA801HC0G

GPA801HC0G

기술: DIODE GEN PURP 50V 8A TO220AC

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
GPA802HC0G

GPA802HC0G

기술: DIODE GEN PURP 100V 8A TO220AC

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
GPA040A120L-ND

GPA040A120L-ND

기술: IGBT 1200V 80A 455W TO264

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
RFQ
GPA801 C0G

GPA801 C0G

기술: DIODE GEN PURP 50V 8A TO220AC

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
GPA020A135MN-FD

GPA020A135MN-FD

기술: IGBT 1350V 40A 223W TO3PN

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
RFQ
GPA060A060MN-FD

GPA060A060MN-FD

기술: IGBT 600V 120A 347W TO3PN

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
RFQ
GPA802DT-TP

GPA802DT-TP

기술: DIODE GPP 8A D2PAK

제조업체: Micro Commercial Components (MCC)
유품
RFQ
GPA030A135MN-FDR

GPA030A135MN-FDR

기술: IGBT 1350V 60A 329W TO3PN

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
RFQ
GPA802 C0G

GPA802 C0G

기술: DIODE GEN PURP 100V 8A TO220AC

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
GPA025A120MN-ND

GPA025A120MN-ND

기술: IGBT 1200V 50A 312W TO3PN

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
RFQ
GPA801DT-TP

GPA801DT-TP

기술: DIODE GPP 8A D2PAK

제조업체: Micro Commercial Components (MCC)
유품
RFQ
GPA802-BP

GPA802-BP

기술: DIODE GPP 8A TO220AC

제조업체: Micro Commercial Components (MCC)
유품
RFQ
GPA040A120MN-FD

GPA040A120MN-FD

기술: IGBT 1200V 80A 480W TO3PN

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
RFQ
GPA801-BP

GPA801-BP

기술: DIODE GPP 8A TO220AC

제조업체: Micro Commercial Components (MCC)
유품
RFQ
GPA020A120MN-FD

GPA020A120MN-FD

기술: IGBT 1200V 40A 223W TO3PN

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
RFQ
GPA030A120MN-FD

GPA030A120MN-FD

기술: IGBT 1200V 60A 329W TO3PN

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
RFQ
우리는 유일한 공개 오픈 마켓 유통 업체로서 글로벌 액세스, 제조 업계 전문 지식 및 입증 된 품질의 고유 한 조합을 보유하고 있습니다.이를 통해 전자 부품 소싱 및 인벤토리 관리를위한 맞춤형 엔드 투 엔드 공급망 솔루션을 만들 수 있습니다.
팔로우
이용 약관침해 정책조회를 요청하다우리에 대해문의하기사이트 맵

언어 선택

종료하려면 공간을 클릭하십시오

현재 언어

국가 또는 지역을 선택하십시오.