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GPA030A120I-FD

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유품
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$3.192
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규격
  • 제품 모델
    GPA030A120I-FD
  • 제조업체 / 브랜드
    SemiQ
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IGBT 1200V 60A 329W TO247
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    GPA030A120I-FD.pdf
  • 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)
    1200V
  • VGE, IC에서 @ (에) VCE (최대)
    2.5V @ 15V, 30A
  • 시험 조건
    600V, 30A, 10 Ohm, 15V
  • Td (온 / 오프) @ 25 ° C
    40ns/245ns
  • 에너지 전환
    4.5mJ (on), 850µJ (off)
  • 제조업체 장치 패키지
    TO-247
  • 연속
    -
  • 역 회복 시간 (trr)
    450ns
  • 전력 - 최대
    329W
  • 포장
    Tube
  • 패키지 / 케이스
    TO-247-3
  • 다른 이름들
    1560-1219-1
    1560-1219-1-ND
    1560-1219-5
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 유형
    Standard
  • IGBT 유형
    Trench Field Stop
  • 게이트 충전
    330nC
  • 상세 설명
    IGBT Trench Field Stop 1200V 60A 329W Through Hole TO-247
  • 전류 - 콜렉터 펄스 (ICM)
    90A
  • 전류 - 콜렉터 (IC) (최대)
    60A

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GPA042A100L-ND

GPA042A100L-ND

기술: IGBT 1000V 60A 463W TO264

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
RFQ
GPA801-BP

GPA801-BP

기술: DIODE GPP 8A TO220AC

제조업체: Micro Commercial Components (MCC)
유품
RFQ
GPA040A120MN-FD

GPA040A120MN-FD

기술: IGBT 1200V 80A 480W TO3PN

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
RFQ
GPA060A060MN-FD

GPA060A060MN-FD

기술: IGBT 600V 120A 347W TO3PN

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
RFQ
GPA020A120MN-FD

GPA020A120MN-FD

기술: IGBT 1200V 40A 223W TO3PN

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
RFQ
GPA801 C0G

GPA801 C0G

기술: DIODE GEN PURP 50V 8A TO220AC

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
GPA802 C0G

GPA802 C0G

기술: DIODE GEN PURP 100V 8A TO220AC

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
GPA802HC0G

GPA802HC0G

기술: DIODE GEN PURP 100V 8A TO220AC

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
GPA030A120MN-FD

GPA030A120MN-FD

기술: IGBT 1200V 60A 329W TO3PN

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
RFQ
GPA2000-0.010-02-0816

GPA2000-0.010-02-0816

기술: THERM PAD 406.4MMX203.2MM GRAY

제조업체: Bergquist
유품
RFQ
GPA040A120L-FD

GPA040A120L-FD

기술: IGBT 1200V 80A 480W TO264

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
RFQ
GPA020A135MN-FD

GPA020A135MN-FD

기술: IGBT 1350V 40A 223W TO3PN

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
RFQ
GPA030A135MN-FDR

GPA030A135MN-FDR

기술: IGBT 1350V 60A 329W TO3PN

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
RFQ
GPA025A120MN-ND

GPA025A120MN-ND

기술: IGBT 1200V 50A 312W TO3PN

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
RFQ
GPA801HC0G

GPA801HC0G

기술: DIODE GEN PURP 50V 8A TO220AC

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
GPA802-BP

GPA802-BP

기술: DIODE GPP 8A TO220AC

제조업체: Micro Commercial Components (MCC)
유품
RFQ
GPA015A120MN-ND

GPA015A120MN-ND

기술: IGBT 1200V 30A 212W TO3PN

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
RFQ
GPA040A120L-ND

GPA040A120L-ND

기술: IGBT 1200V 80A 455W TO264

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
RFQ
GPA801DT-TP

GPA801DT-TP

기술: DIODE GPP 8A D2PAK

제조업체: Micro Commercial Components (MCC)
유품
RFQ
GPA802DT-TP

GPA802DT-TP

기술: DIODE GPP 8A D2PAK

제조업체: Micro Commercial Components (MCC)
유품
RFQ
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