Electronica 2024의 방문자

지금 시간을 예약하세요!

당신의 장소를 예약하고 부스 티켓을 받기 위해 몇 번의 클릭만으로도 걸립니다.

홀 C5 부스 220

사전 등록

*회사명
*이름
*제목

*이메일 주소
*전화 번호

*국가
*접촉 창
*이벤트 날짜

*메시지

Electronica 2024의 방문자

당신은 모두 가입합니다! 약속을 잡아 주셔서 감사합니다!
예약을 확인하면 부스 티켓을 이메일로 보내드립니다.

집 > 제품 센터 > 이산 반도체 제품 > 트랜지스터-fet, 모스 펫-싱글 > BSF030NE2LQXUMA1

RFQs/주문 (0)

한국의

한국의

1716363

BSF030NE2LQXUMA1 이미지

International Rectifier (Infineon Technologies)

BSF030NE2LQXUMA1

온라인 가격 조회

연락처 정보와 함께 필요한 모든 필드를 작성하십시오. "RFQ 제출"클릭 이메일로 알려 드리겠습니다.또는 이메일을 보내주십시오.info@ftcelectronics.com

참고 가격 (미국 달러 기준)

유품

5000+

$0.43

온라인 문의

규격

제품 모델

BSF030NE2LQXUMA1
제조업체 / 브랜드

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
재고 수량

유품
기술

MOSFET N-CH 25V 24A WDSON-2
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
사양서

BSF030NE2LQXUMA1.pdf
아이디 @ VGS (일) (최대)

2V @ 250µA
Vgs (최대)

±20V
과학 기술

MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지

MG-WDSON-2, CanPAK M™
연속

OptiMOS™
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)

3 mOhm @ 30A, 10V
전력 소비 (최대)

2.2W (Ta), 28W (Tc)
포장

Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스

3-WDSON
다른 이름들

BSF030NE2LQ
BSF030NE2LQ-ND
BSF030NE2LQTR-ND
BSF030NE2LQXUMA1TR
SP000756348
작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)
실장 형

Surface Mount
수분 민감도 (MSL)

3 (168 Hours)
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1700pF @ 12V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs

23nC @ 10V
FET 유형

N-Channel
FET 특징

-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V
소스 전압에 드레인 (Vdss)

25V
상세 설명

N-Channel 25V 24A (Ta), 75A (Tc) 2.2W (Ta), 28W (Tc) Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

24A (Ta), 75A (Tc)

관련 뉴스
배송
지불 방법

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024년10월24일

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024년10월10일

배송

지불

다음은 "BSF030NE2LQXUMA1"관련 제품입니다.

IPW60R160P6FKSA1

IPW60R160P6FKSA1

기술: MOSFET N-CH 600V TO247-3

제조업체: Infineon Technologies

유품

SI3457DV

기술: MOSFET P-CH 30V 4A SSOT-6

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

유품

BSF053N03LT G

기술: MOSFET N-CH 30V 71A 2WDSON

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)

유품

BSF083N03LQ G

기술: MOSFET N-CH 30V 53A MG-WDSON-2

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)

유품

SI7611DN-T1-GE3

SI7611DN-T1-GE3

기술: MOSFET P-CH 40V 18A 1212-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay

유품

FDMS7650DC

FDMS7650DC

기술: MOSFET N-CH 30V 47A POWER56

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

유품

BSF024N03LT3GXUMA1

BSF024N03LT3GXUMA1

기술: MOSFET N-CH 30V 106A 2WDSON

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)

유품

AON6514

기술: MOSFET N-CH 30V 23A 8DFN

제조업체: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

유품

BSF-HD

기술: 9V FEMALE SNAP 4-SIDED HVY-DUTY

제조업체: MPD (Memory Protection Devices)

유품

BSF035NE2LQXUMA1

BSF035NE2LQXUMA1

기술: MOSFET N-CH 25V 22A 2WDSON

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)

유품

BSF450NE7NH3XUMA1

BSF450NE7NH3XUMA1

기술: MOSFET N-CH 75V 5A 2WDSON

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)

유품

BSF

기술: 9V FEMALE SNAP 6-SIDED

제조업체: MPD (Memory Protection Devices)

유품

MCH3478-TL-W

기술: MOSFET N-CH 30V 2A MCPH3

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

유품

XP161A1265PR

기술: MOSFET N-CH 20V 4A SOT89

제조업체: Torex Semiconductor Ltd.

유품

BSF050N03LQ3GXUMA1

BSF050N03LQ3GXUMA1

기술: MOSFET N-CH 30V 60A 2WDSON

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)

유품

BSF045N03MQ3 G

기술: MOSFET N-CH 30V 63A WDSON-2

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)

유품

BSF134N10NJ3GXUMA1

BSF134N10NJ3GXUMA1

기술: MOSFET N-CH 100V 9A WDSON-2

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)

유품

BSF077N06NT3GXUMA1

BSF077N06NT3GXUMA1

기술: MOSFET N-CH 60V 13A WDSON-2

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)

유품

FCU850N80Z

기술: MOSFET N-CH 800V 6A IPAK

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

유품

TSM4N80CI C0G

기술: MOSFET N-CHANNEL 800V 4A ITO220

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)

유품

우리는 유일한 공개 오픈 마켓 유통 업체로서 글로벌 액세스, 제조 업계 전문 지식 및 입증 된 품질의 고유 한 조합을 보유하고 있습니다.이를 통해 전자 부품 소싱 및 인벤토리 관리를위한 맞춤형 엔드 투 엔드 공급망 솔루션을 만들 수 있습니다.

팔로우

이용 약관 침해 정책 조회를 요청하다 우리에 대해 문의하기 사이트 맵

언어 선택

종료하려면 공간을 클릭하십시오

현재 언어

국가 또는 지역을 선택하십시오.