Electronica 2024의 방문자

지금 시간을 예약하세요!

당신의 장소를 예약하고 부스 티켓을 받기 위해 몇 번의 클릭만으로도 걸립니다.

홀 C5 부스 220

사전 등록

Electronica 2024의 방문자
당신은 모두 가입합니다! 약속을 잡아 주셔서 감사합니다!
예약을 확인하면 부스 티켓을 이메일로 보내드립니다.
> 제품 센터 > 이산 반도체 제품 > 트랜지스터-fet, 모스 펫-싱글 > BSF077N06NT3GXUMA1
RFQs/주문 (0)
한국의
한국의
56476BSF077N06NT3GXUMA1 이미지International Rectifier (Infineon Technologies)

BSF077N06NT3GXUMA1

온라인 가격 조회

연락처 정보와 함께 필요한 모든 필드를 작성하십시오. "RFQ 제출"클릭 이메일로 알려 드리겠습니다.또는 이메일을 보내주십시오.info@ftcelectronics.com
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    BSF077N06NT3GXUMA1
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 60V 13A WDSON-2
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    4V @ 33µA
  • Vgs (최대)
    ±20V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    MG-WDSON-2, CanPAK M™
  • 연속
    OptiMOS™
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    7.7 mOhm @ 30A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    2.2W (Ta), 38W (Tc)
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    3-WDSON
  • 다른 이름들
    BSF077N06NT3 G
    BSF077N06NT3 G-ND
    BSF077N06NT3 GTR-ND
    BSF077N06NT3GXUMA1TR
    SP000605968
  • 작동 온도
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    3700pF @ 30V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    46nC @ 10V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    60V
  • 상세 설명
    N-Channel 60V 13A (Ta), 56A (Tc) 2.2W (Ta), 38W (Tc) Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    13A (Ta), 56A (Tc)
BSF053N03LT G

BSF053N03LT G

기술: MOSFET N-CH 30V 71A 2WDSON

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
BSF450NE7NH3XUMA1

BSF450NE7NH3XUMA1

기술: MOSFET N-CH 75V 5A 2WDSON

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
NTTFS4C13NTWG

NTTFS4C13NTWG

기술: MOSFET N-CH 30V 38A U8FL

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
TK35S04K3L(T6L1,NQ

TK35S04K3L(T6L1,NQ

기술: MOSFET N-CH 40V 35A DPAK-3

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
BSF030NE2LQXUMA1

BSF030NE2LQXUMA1

기술: MOSFET N-CH 25V 24A WDSON-2

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
BSF024N03LT3GXUMA1

BSF024N03LT3GXUMA1

기술: MOSFET N-CH 30V 106A 2WDSON

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
FQPF13N06

FQPF13N06

기술: MOSFET N-CH 60V 9.4A TO-220F

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
BSF134N10NJ3GXUMA1

BSF134N10NJ3GXUMA1

기술: MOSFET N-CH 100V 9A WDSON-2

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
BSF035NE2LQXUMA1

BSF035NE2LQXUMA1

기술: MOSFET N-CH 25V 22A 2WDSON

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
BSF083N03LQ G

BSF083N03LQ G

기술: MOSFET N-CH 30V 53A MG-WDSON-2

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
BSF

BSF

기술: 9V FEMALE SNAP 6-SIDED

제조업체: MPD (Memory Protection Devices)
유품
SI4190ADY-T1-GE3

SI4190ADY-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 100V 18.4A 8SO

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
IRF720STRL

IRF720STRL

기술: MOSFET N-CH 400V 3.3A D2PAK

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SIR438DP-T1-GE3

SIR438DP-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
BSF045N03MQ3 G

BSF045N03MQ3 G

기술: MOSFET N-CH 30V 63A WDSON-2

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
BSF-HD

BSF-HD

기술: 9V FEMALE SNAP 4-SIDED HVY-DUTY

제조업체: MPD (Memory Protection Devices)
유품
RFP50N05L

RFP50N05L

기술: MOSFET N-CH 50V 50A TO-220AB

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
NTMFS4C08NT3G

NTMFS4C08NT3G

기술: MOSFET N-CH 30V 52A SO8FL

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
BSF050N03LQ3GXUMA1

BSF050N03LQ3GXUMA1

기술: MOSFET N-CH 30V 60A 2WDSON

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
AOD456A

AOD456A

기술: MOSFET N-CH 25V 50A TO-252

제조업체: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
유품

언어 선택

종료하려면 공간을 클릭하십시오