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BSF053N03LT G 이미지

International Rectifier (Infineon Technologies)

BSF053N03LT G

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온라인 문의

규격

제품 모델

BSF053N03LT G
제조업체 / 브랜드

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
재고 수량

유품
기술

MOSFET N-CH 30V 71A 2WDSON
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
사양서

BSF053N03LT G.pdf
아이디 @ VGS (일) (최대)

2.2V @ 250µA
Vgs (최대)

±20V
과학 기술

MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지

MG-WDSON-2, CanPAK M™
연속

OptiMOS™
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)

5.3 mOhm @ 30A, 10V
전력 소비 (최대)

2.2W (Ta), 42W (Tc)
포장

Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스

3-WDSON
다른 이름들

BSF053N03LT G-ND
BSF053N03LTG
SP000597832
작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)
실장 형

Surface Mount
수분 민감도 (MSL)

1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2700pF @ 15V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs

29nC @ 10V
FET 유형

N-Channel
FET 특징

-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V
소스 전압에 드레인 (Vdss)

30V
상세 설명

N-Channel 30V 16A (Ta), 71A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

16A (Ta), 71A (Tc)

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FDS6609A

기술: MOSFET P-CH 30V 6.3A 8SOIC

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유품

BSF134N10NJ3GXUMA1

BSF134N10NJ3GXUMA1

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제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)

유품

BSF035NE2LQXUMA1

BSF035NE2LQXUMA1

기술: MOSFET N-CH 25V 22A 2WDSON

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)

유품

BSF024N03LT3GXUMA1

BSF024N03LT3GXUMA1

기술: MOSFET N-CH 30V 106A 2WDSON

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RQ3E150GNTB

RQ3E150GNTB

기술: MOSFET N-CH 30V 15A 8-HSMT

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기술: MOSFET N-CH 60V 13A WDSON-2

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BSF083N03LQ G

기술: MOSFET N-CH 30V 53A MG-WDSON-2

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)

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STS9NF30L

기술: MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC

제조업체: STMicroelectronics

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BSF050N03LQ3GXUMA1

BSF050N03LQ3GXUMA1

기술: MOSFET N-CH 30V 60A 2WDSON

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)

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BSF045N03MQ3 G

기술: MOSFET N-CH 30V 63A WDSON-2

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VP0550N3-G

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기술: MOSFET P-CH 500V 0.054A TO92-3

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