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LAPIS Semiconductor

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제품 모델

EMD9FHAT2R
제조업체 / 브랜드

LAPIS Technology
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유품
기술

PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
사양서

1.EMD9FHAT2R.pdf
2.EMD9FHAT2R.pdf
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)

-
IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대)

300mV @ 250µA, 5mA
트랜지스터 유형

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
제조업체 장치 패키지

EMT6
연속

Automotive, AEC-Q101
저항기 - 이미 터베이스 (R2)

47 kOhms
저항기 -베이스 (R1)

10 kOhms
전력 - 최대

150mW
포장

Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스

SOT-563, SOT-666
다른 이름들

EMD9FHAT2RTR
실장 형

Surface Mount
수분 민감도 (MSL)

1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임

7 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
주파수 - 전환

250MHz
상세 설명

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가

68 @ 5mA, 5V
전류 - 콜렉터 컷오프 (최대)

-
전류 - 콜렉터 (IC) (최대)

100mA

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