Electronica 2024의 방문자

지금 시간을 예약하세요!

당신의 장소를 예약하고 부스 티켓을 받기 위해 몇 번의 클릭만으로도 걸립니다.

홀 C5 부스 220

사전 등록

Electronica 2024의 방문자
당신은 모두 가입합니다! 약속을 잡아 주셔서 감사합니다!
예약을 확인하면 부스 티켓을 이메일로 보내드립니다.
> 제품 센터 > 이산 반도체 제품 > 트랜지스터-fet, 모스 펫-싱글 > RQ6C065BCTCR
RFQs/주문 (0)
한국의
한국의
5224041RQ6C065BCTCR 이미지LAPIS Semiconductor

RQ6C065BCTCR

온라인 가격 조회

연락처 정보와 함께 필요한 모든 필드를 작성하십시오. "RFQ 제출"클릭 이메일로 알려 드리겠습니다.또는 이메일을 보내주십시오.info@ftcelectronics.com

참고 가격 (미국 달러 기준)

유품
1+
$0.84
10+
$0.734
100+
$0.566
500+
$0.419
1000+
$0.335
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    RQ6C065BCTCR
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    PCH -20V -6.5A MIDDLE POWER MOSF
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
  • ECAD 모델
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    1.2V @ 1mA
  • Vgs (최대)
    ±8V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    TSMT6 (SC-95)
  • 연속
    -
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    21 mOhm @ 6.5A, 4.5V
  • 전력 소비 (최대)
    1.25W (Tc)
  • 포장
    Original-Reel®
  • 패키지 / 케이스
    SC-95-6
  • 다른 이름들
    RQ6C065BCTCRDKR
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    1520pF @ 10V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    22nC @ 4.5V
  • FET 유형
    P-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    4.5V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    20V
  • 상세 설명
    P-Channel 20V 6.5A (Tc) 1.25W (Tc) Surface Mount TSMT6 (SC-95)
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    6.5A (Tc)
FDMS7560S

FDMS7560S

기술: MOSFET N-CH 25V 30A POWER56

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RQ6C050UNTR

RQ6C050UNTR

기술: MOSFET N-CH 20V 5A TSMT

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
NTB5605PG

NTB5605PG

기술: MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
FDMC8026S

FDMC8026S

기술: MOSFET N-CH 30V 19A 8MLP

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RQ6E030ATTCR

RQ6E030ATTCR

기술: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RQ6C050BCTCR

RQ6C050BCTCR

기술: PCH -20V -5A MIDDLE POWER MOSFET

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RQ6E035ATTCR

RQ6E035ATTCR

기술: MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
BUK663R2-40C,118

BUK663R2-40C,118

기술: MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK

제조업체: Nexperia
유품
RQ6E050ATTCR

RQ6E050ATTCR

기술: MOSFET P-CH 30V 5A TSMT

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
HUF75631S3S

HUF75631S3S

기술: MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
IPD122N10N3GATMA1

IPD122N10N3GATMA1

기술: MOSFET N-CH 100V 59A

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RQ6E085BNTCR

RQ6E085BNTCR

기술: NCH 30V 8.5A MIDDLE POWER MOSFET

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
FDMS2504SDC

FDMS2504SDC

기술: MOSFET N-CH 25V 42A POWER56

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RQ6E055BNTCR

RQ6E055BNTCR

기술: MOSFET N-CH 30V 5.5A TSMT

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RQ6P015SPTR

RQ6P015SPTR

기술: MOSFET P-CH 100V 1.5A TSMT

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
IRFP460_R4943

IRFP460_R4943

기술: MOSFET N-CH 500V 20A TO-247

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
TK5A53D(STA4,Q,M)

TK5A53D(STA4,Q,M)

기술: MOSFET N-CH 525V 5A TO-220SIS

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
RQ6E045BNTCR

RQ6E045BNTCR

기술: MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
STD80N10F7

STD80N10F7

기술: MOSFET N-CH 100V 70A DPAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
IXFK140N20P

IXFK140N20P

기술: MOSFET N-CH 200V 140A TO-264

제조업체: IXYS Corporation
유품

언어 선택

종료하려면 공간을 클릭하십시오