Electronica 2024의 방문자

지금 시간을 예약하세요!

당신의 장소를 예약하고 부스 티켓을 받기 위해 몇 번의 클릭만으로도 걸립니다.

홀 C5 부스 220

사전 등록

Electronica 2024의 방문자
당신은 모두 가입합니다! 약속을 잡아 주셔서 감사합니다!
예약을 확인하면 부스 티켓을 이메일로 보내드립니다.
> 제품 센터 > 이산 반도체 제품 > 트랜지스터-fet, 모스 펫-싱글 > RQ6E085BNTCR
RFQs/주문 (0)
한국의
한국의
1095768RQ6E085BNTCR 이미지LAPIS Semiconductor

RQ6E085BNTCR

온라인 가격 조회

연락처 정보와 함께 필요한 모든 필드를 작성하십시오. "RFQ 제출"클릭 이메일로 알려 드리겠습니다.또는 이메일을 보내주십시오.info@ftcelectronics.com

참고 가격 (미국 달러 기준)

유품
3000+
$0.384
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    RQ6E085BNTCR
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    NCH 30V 8.5A MIDDLE POWER MOSFET
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (최대)
    ±20V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    SOT-457
  • 연속
    -
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    14.4 mOhm @ 8.5A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    1.25W (Tc)
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    SC-74, SOT-457
  • 다른 이름들
    RQ6E085BNTCRTR
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    1350pF @ 15V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    32.7nC @ 10V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    30V
  • 상세 설명
    N-Channel 30V 8.5A (Tc) 1.25W (Tc) Surface Mount SOT-457
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    8.5A (Tc)
RQ6P015SPTR

RQ6P015SPTR

기술: MOSFET P-CH 100V 1.5A TSMT

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
IRFD224PBF

IRFD224PBF

기술: MOSFET N-CH 250V 630MA 4-DIP

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RQ6E030ATTCR

RQ6E030ATTCR

기술: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
PSMN7R6-60PS,127

PSMN7R6-60PS,127

기술: MOSFET N-CH 60V 92A TO220AB

제조업체: Nexperia
유품
RQ6C050UNTR

RQ6C050UNTR

기술: MOSFET N-CH 20V 5A TSMT

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
NP80N055KLE-E1-AY

NP80N055KLE-E1-AY

기술: MOSFET N-CH 55V 80A TO-263

제조업체: Renesas Electronics America
유품
RQ6C065BCTCR

RQ6C065BCTCR

기술: PCH -20V -6.5A MIDDLE POWER MOSF

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RQ6E045BNTCR

RQ6E045BNTCR

기술: MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
EPC2031ENGRT

EPC2031ENGRT

기술: MOSFET NCH 60V 31A DIE

제조업체: EPC
유품
RQ6C050BCTCR

RQ6C050BCTCR

기술: PCH -20V -5A MIDDLE POWER MOSFET

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
MCH3376-TL-E

MCH3376-TL-E

기술: MOSFET P-CH 8A 20V MCPH3

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RQ6E055BNTCR

RQ6E055BNTCR

기술: MOSFET N-CH 30V 5.5A TSMT

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RQ6E035ATTCR

RQ6E035ATTCR

기술: MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
IRFPS3810

IRFPS3810

기술: MOSFET N-CH 100V 170A SUPER247

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
IRL2203NSPBF

IRL2203NSPBF

기술: MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
SIR418DP-T1-GE3

SIR418DP-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
AOD452

AOD452

기술: MOSFET N-CH 25V 55A TO-252

제조업체: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
유품
IPI50R199CPXKSA1

IPI50R199CPXKSA1

기술: MOSFET N-CH 500V 17A TO262

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RQ6E050ATTCR

RQ6E050ATTCR

기술: MOSFET P-CH 30V 5A TSMT

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
FQD30N06TM

FQD30N06TM

기술: MOSFET N-CH 60V 22.7A DPAK-3

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품

언어 선택

종료하려면 공간을 클릭하십시오