Electronica 2024의 방문자

지금 시간을 예약하세요!

당신의 장소를 예약하고 부스 티켓을 받기 위해 몇 번의 클릭만으로도 걸립니다.

홀 C5 부스 220

사전 등록

Electronica 2024의 방문자
당신은 모두 가입합니다! 약속을 잡아 주셔서 감사합니다!
예약을 확인하면 부스 티켓을 이메일로 보내드립니다.
집 > 제품 센터 > 이산 반도체 제품 > 트랜지스터-fet, 모스 펫-싱글 > RQ6E055BNTCR
RFQs/주문 (0)
한국의
한국의
397943RQ6E055BNTCR 이미지LAPIS Semiconductor

RQ6E055BNTCR

온라인 가격 조회

연락처 정보와 함께 필요한 모든 필드를 작성하십시오. "RFQ 제출"클릭 이메일로 알려 드리겠습니다.또는 이메일을 보내주십시오.info@ftcelectronics.com

참고 가격 (미국 달러 기준)

유품
3000+
$0.255
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    RQ6E055BNTCR
  • 제조업체 / 브랜드
    LAPIS Technology
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 30V 5.5A TSMT
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    1.RQ6E055BNTCR.pdf
    2.RQ6E055BNTCR.pdf
  • ECAD 모델
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (최대)
    ±20V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    TSMT6 (SC-95)
  • 연속
    -
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    25 mOhm @ 5.5A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    1.25W (Ta)
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • 다른 이름들
    RQ6E055BNTCRTR
  • 작동 온도
    150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    355pF @ 15V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    8.6nC @ 10V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    4.5V, 10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    30V
  • 상세 설명
    N-Channel 30V 5.5A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount TSMT6 (SC-95)
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    5.5A (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025년1월26일

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025년1월13일

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024년12월31일

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024년12월23일

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024년12월12일

Microchip은 500 건의 해고를 발표했으며 구조 조정 비용은 3,8...

2024년12월4일

Quanta : AI 수요는 꾸준한 명령 스트림으로 계속 강력합니다.

2024년12월3일

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024년12월2일

삼성은 3D NAND 생산에서 Photoresist 사용을 크게 줄여 공급 ...

2024년12월2일

Vishay는 인수 된 NWF 웨이퍼 팹에 5,100 만 파운드를 투자 할 ...

2024년11월29일

트럼프의 관세 위협, Nvidia, Intel 공급 업체는 멕시코 계획을...

2024년11월28일

Intel은 미국 칩 법에 따라 7,800 억 달러의 보조금을 받고 110...

2024년11월27일
배송
지불
다음은 "RQ6E055BNTCR"관련 제품입니다.
CSD19538Q3AT

CSD19538Q3AT

기술: MOSFET N-CH 100V 15A VSONP

제조업체: Luminary Micro / Texas Instruments
유품
RFQ
DMP3015LSS-13

DMP3015LSS-13

기술: MOSFET P-CH 30V 13A 8-SOIC

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
NTD20P06L-001

NTD20P06L-001

기술: MOSFET P-CH 60V 15.5A IPAK

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
RQ6P015SPTR

RQ6P015SPTR

기술: MOSFET P-CH 100V 1.5A TSMT

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
RQ6C050BCTCR

RQ6C050BCTCR

기술: PCH -20V -5A MIDDLE POWER MOSFET

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
RQ6C050UNTR

RQ6C050UNTR

기술: MOSFET N-CH 20V 5A TSMT

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
NTGS3136PT1G

NTGS3136PT1G

기술: MOSFET P-CH 20V 3.7A 6-TSOP

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
RQ6E045BNTCR

RQ6E045BNTCR

기술: MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
RQ6E085BNTCR

RQ6E085BNTCR

기술: NCH 30V 8.5A MIDDLE POWER MOSFET

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
IRF9640STRRPBF

IRF9640STRRPBF

기술: MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
RQ6E050ATTCR

RQ6E050ATTCR

기술: MOSFET P-CH 30V 5A TSMT

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
DMT35M7LFV-7

DMT35M7LFV-7

기술: MOSFET N-CH 30V 76A POWERDI3333

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
SPI11N60C3XKSA1

SPI11N60C3XKSA1

기술: MOSFET N-CH 650V 11A TO-262

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
IRF6644TRPBF

IRF6644TRPBF

기술: MOSFET N-CH 100V 10.3A DIRECTFET

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
IRFBA1404P

IRFBA1404P

기술: MOSFET N-CH 40V 206A SUPER-220

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
RQ6E030ATTCR

RQ6E030ATTCR

기술: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
RQ6C065BCTCR

RQ6C065BCTCR

기술: PCH -20V -6.5A MIDDLE POWER MOSF

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
FDU8796

FDU8796

기술: MOSFET N-CH 25V 35A I-PAK

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
IPB065N15N3GE8187ATMA1

IPB065N15N3GE8187ATMA1

기술: MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
RQ6E035ATTCR

RQ6E035ATTCR

기술: MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
우리는 유일한 공개 오픈 마켓 유통 업체로서 글로벌 액세스, 제조 업계 전문 지식 및 입증 된 품질의 고유 한 조합을 보유하고 있습니다.이를 통해 전자 부품 소싱 및 인벤토리 관리를위한 맞춤형 엔드 투 엔드 공급망 솔루션을 만들 수 있습니다.
팔로우
이용 약관침해 정책조회를 요청하다우리에 대해문의하기소식사이트 맵

언어 선택

종료하려면 공간을 클릭하십시오

현재 언어

국가 또는 지역을 선택하십시오.