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MT29F4G01AAADDHC-ITX:D TR

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  • 제품 모델
    MT29F4G01AAADDHC-ITX:D TR
  • 제조업체 / 브랜드
    Micron Technology
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC FLASH 4G SPI 63VFBGA
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    -
  • 전압 - 공급
    2.7 V ~ 3.6 V
  • 과학 기술
    FLASH - NAND
  • 제조업체 장치 패키지
    63-VFBGA (10.5x13)
  • 연속
    -
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    63-VFBGA
  • 다른 이름들
    MT29F4G01AAADDHC-ITX:D TR-ND
    MT29F4G01AAADDHC-ITX:DTR
  • 작동 온도
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    3 (168 Hours)
  • 메모리 유형
    Non-Volatile
  • 메모리 크기
    4Gb (4G x 1)
  • 메모리 인터페이스
    SPI
  • 메모리 형식
    FLASH
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 상세 설명
    FLASH - NAND Memory IC 4Gb (4G x 1) SPI 63-VFBGA (10.5x13)
  • 기본 부품 번호
    MT29F4G01

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MT29F4G01ABAFD12-AATES:F

MT29F4G01ABAFD12-AATES:F

기술: IC FLASH 4G SPI TBGA

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT29F3T08EUHBBM4-3R:B

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기술: IC FLASH 3T PARALLEL 333MHZ

제조업체: Micron Technology
유품
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MT29F4G01AAADDHC:D

MT29F4G01AAADDHC:D

기술: IC FLASH 4G SPI 63VFBGA

제조업체: Micron Technology
유품
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MT29F4G01ABBFD12-AATES:F

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기술: IC FLASH 4G SPI TBGA

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT29F4G01ABAFDWB-IT:F

MT29F4G01ABAFDWB-IT:F

기술: IC FLASH 4G SPI UPDFN

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT29F3T08EQHBBG2-3RES:B TR

MT29F3T08EQHBBG2-3RES:B TR

기술: IC FLASH 3T PARALLEL 333MHZ

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT29F4G01AAADDHC-ITX:D

MT29F4G01AAADDHC-ITX:D

기술: IC FLASH 4G SPI 63VFBGA

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT29F4G01ABAFDWB-ITES:F TR

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기술: IC FLASH 4G SPI UPDFN

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT29F3T08EUHBBM4-3R:B TR

MT29F3T08EUHBBM4-3R:B TR

기술: IC FLASH 3T PARALLEL 333MHZ

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT29F3T08EUCBBM4-37:B TR

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기술: IC FLASH 3T PARALLEL 267MHZ

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT29F3T08EUHBBM4-3RES:B TR

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기술: IC FLASH 3T PARALLEL 333MHZ

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RFQ
MT29F4G01ABAFD12-ITES:F

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기술: IC FLASH 4G SPI TBGA

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기술: IC FLASH 3T PARALLEL 333MHZ

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기술: IC FLASH 3T PARALLEL 267MHZ

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