MT29F4G01ABBFD12-AATES:F TR

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유품

2000+

$9.495

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규격

제품 모델

MT29F4G01ABBFD12-AATES:F TR
제조업체 / 브랜드

Micron Technology
재고 수량

유품
기술

IC FLASH 4G SPI TBGA
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지

-
전압 - 공급

1.7 V ~ 1.95 V
과학 기술

FLASH - NAND
연속

-
포장

Tape & Reel (TR)
다른 이름들

MT29F4G01ABBFD12-AATES:F TR-ND
MT29F4G01ABBFD12-AATES:FTR
작동 온도

-40°C ~ 105°C (TC)
수분 민감도 (MSL)

3 (168 Hours)
메모리 유형

Non-Volatile
메모리 크기

4Gb (4G x 1)
메모리 인터페이스

SPI
메모리 형식

FLASH
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
상세 설명

FLASH - NAND Memory IC 4Gb (4G x 1) SPI

다음은 "MT29F4G01ABBFD12-AATES:F TR"관련 제품입니다.

MT29F4G01ABAFD12-AATES:F TR

기술: IC FLASH 4G SPI TBGA

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT29F4G01ABBFD12-ITES:F

기술: IC FLASH 4G SPI TBGA

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT29F4G01ADAGDSF-IT:G

기술: IC FLASH 4G SPI SOIC

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT29F4G01ADAGDWB-IT:G TR

기술: IC FLASH 4G SPI 8UPDFN

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT29F4G01AAADDHC:D

기술: IC FLASH 4G SPI 63VFBGA

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT29F4G08AAAWP:A TR

기술: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT29F4G01ADAGDWB-IT:G

기술: IC FLASH 4G SPI UPDFN

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT29F4G01ABAFD12-ITES:F

기술: IC FLASH 4G SPI TBGA

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT29F4G01ABAFD12-ITES:F TR

기술: IC FLASH 4G SPI TBGA

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT29F4G08AACHC:C

기술: IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT29F4G01ABAFDWB-IT:F

기술: IC FLASH 4G SPI UPDFN

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT29F4G01ABAFDWB-ITES:F TR

기술: IC FLASH 4G SPI UPDFN

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ