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MT29F4G01ABAFDWB-ITES:F TR

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  • 제품 모델
    MT29F4G01ABAFDWB-ITES:F TR
  • 제조업체 / 브랜드
    Micron Technology
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC FLASH 4G SPI UPDFN
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    -
  • 전압 - 공급
    2.7 V ~ 3.6 V
  • 과학 기술
    FLASH - NAND
  • 연속
    -
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 다른 이름들
    MT29F4G01ABAFDWB-ITES:F TR-ND
    MT29F4G01ABAFDWB-ITES:FTR
  • 작동 온도
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • 수분 민감도 (MSL)
    3 (168 Hours)
  • 메모리 유형
    Non-Volatile
  • 메모리 크기
    4Gb (4G x 1)
  • 메모리 인터페이스
    SPI
  • 메모리 형식
    FLASH
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 상세 설명
    FLASH - NAND Memory IC 4Gb (4G x 1) SPI

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기술: IC FLASH 4G SPI UPDFN

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기술: IC FLASH 4G SPI TBGA

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기술: IC FLASH 4G SPI 8UPDFN

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기술: IC FLASH 4G SPI UPDFN

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기술: IC FLASH 4G SPI TBGA

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기술: IC FLASH 4G SPI UPDFN

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기술: IC FLASH 4G SPI 63VFBGA

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기술: IC FLASH 4G SPI SOIC

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기술: IC FLASH 4G SPI UPDFN

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기술: IC FLASH 4G SPI UPDFN

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기술: IC FLASH 4G SPI TBGA

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기술: IC FLASH 4G SPI 63VFBGA

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기술: IC FLASH 4G SPI SOIC

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