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MT44K32M18RB-107E:A

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  • 제품 모델
    MT44K32M18RB-107E:A
  • 제조업체 / 브랜드
    Micron Technology
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    MT44K32M18RB-107E:A.pdf
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    -
  • 전압 - 공급
    1.28 V ~ 1.42 V
  • 과학 기술
    DRAM
  • 제조업체 장치 패키지
    168-BGA
  • 연속
    -
  • 포장
    Tray
  • 패키지 / 케이스
    168-TBGA
  • 작동 온도
    0°C ~ 95°C (TC)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    3 (168 Hours)
  • 메모리 유형
    Volatile
  • 메모리 크기
    576Mb (32M x 18)
  • 메모리 인터페이스
    Parallel
  • 메모리 형식
    DRAM
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 상세 설명
    DRAM Memory IC 576Mb (32M x 18) Parallel 933MHz 8ns 168-BGA
  • 클럭 주파수
    933MHz
  • 기본 부품 번호
    MT44K32M18
  • 액세스 시간
    8ns

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기술: IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

제조업체: Micron Technology
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MT44K32M18RB-107E:B

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기술: IC DRAM 576M PARALLEL 933MHZ

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MT44K32M18RB-125:A

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기술: IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

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기술: IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

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MT44K32M18RB-093E:B

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기술: IC DRAM 576M PARALLEL 1067MHZ

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MT44K32M18RB-125F:A

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MT44K32M18RB-093E:A

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MT44K32M18RB-125E:A

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