MT44K32M18RB-125E:A

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유품

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규격

제품 모델

MT44K32M18RB-125E:A
제조업체 / 브랜드

Micron Technology
재고 수량

유품
기술

IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
사양서

MT44K32M18RB-125E:A.pdf
쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지

-
전압 - 공급

1.28 V ~ 1.42 V
과학 기술

DRAM
제조업체 장치 패키지

168-BGA
연속

-
포장

Tray
패키지 / 케이스

168-TBGA
다른 이름들

557-1550
MT44K32M18RB-125E
MT44K32M18RB125EA
작동 온도

0°C ~ 95°C (TC)
실장 형

Surface Mount
수분 민감도 (MSL)

3 (168 Hours)
메모리 유형

Volatile
메모리 크기

576Mb (32M x 18)
메모리 인터페이스

Parallel
메모리 형식

DRAM
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
상세 설명

DRAM Memory IC 576Mb (32M x 18) Parallel 800MHz 10ns 168-BGA
클럭 주파수

800MHz
기본 부품 번호

MT44K32M18
액세스 시간

10ns

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MT44K32M36RB-093F:A

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기술: IC DRAM 1.125G PARALLEL 1200MHZ

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MT44K32M36RB-083E:A TR

기술: IC DRAM 1.125G PARALLEL 1200MHZ

제조업체: Micron Technology

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MT44K32M36RB-093E:A

기술: IC DRAM 1.125G PARALLEL 1067MHZ

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기술: IC DRAM 1.125G PARALLEL 168BGA

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기술: IC DRAM 1.125G PARALLEL 1200MHZ

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기술: IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

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기술: IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

제조업체: Micron Technology

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기술: IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

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