MT44K32M18RB-107E:B

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유품

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규격

제품 모델

MT44K32M18RB-107E:B
제조업체 / 브랜드

Micron Technology
재고 수량

유품
기술

IC DRAM 576M PARALLEL 933MHZ
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
사양서

MT44K32M18RB-107E:B.pdf
쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지

-
전압 - 공급

1.28 V ~ 1.42 V
과학 기술

DRAM
연속

-
작동 온도

0°C ~ 95°C (TC)
수분 민감도 (MSL)

3 (168 Hours)
메모리 유형

Volatile
메모리 크기

576Mb (32M x 18)
메모리 인터페이스

Parallel
메모리 형식

DRAM
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
상세 설명

DRAM Memory IC 576Mb (32M x 18) Parallel 933MHz 8ns
클럭 주파수

933MHz
액세스 시간

8ns

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기술: IC DRAM 576M PARALLEL 1067MHZ

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기술: IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

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기술: IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

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