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APT100GN120JDQ4

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유품
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규격
  • 제품 모델
    APT100GN120JDQ4
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IGBT 1200V 153A 446W SOT227
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)
    1200V
  • VGE, IC에서 @ (에) VCE (최대)
    2.1V @ 15V, 100A
  • 제조업체 장치 패키지
    ISOTOP®
  • 연속
    -
  • 전력 - 최대
    446W
  • 패키지 / 케이스
    SOT-227-4, miniBLOC
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • NTC 써미스터
    No
  • 실장 형
    Chassis Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    32 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 정전 용량 (CIES) @ Vce가
    6.5nF @ 25V
  • 입력
    Standard
  • IGBT 유형
    Trench Field Stop
  • 상세 설명
    IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 153A 446W Chassis Mount ISOTOP®
  • 전류 - 콜렉터 컷오프 (최대)
    200µA
  • 전류 - 콜렉터 (IC) (최대)
    153A
  • 구성
    Single
APT100F50J

APT100F50J

기술: MOSFET N-CH 500V 103A SOT227

제조업체: Microsemi
유품
APT100GT120JR

APT100GT120JR

기술: IGBT 1200V 123A 570W SOT227

제조업체: Microsemi
유품
APT100GT120JRDQ4

APT100GT120JRDQ4

기술: IGBT 1200V 123A 570W SOT227

제조업체: Microsemi
유품
APT100GT120JU2

APT100GT120JU2

기술: IGBT 1200V 140A 480W SOT227

제조업체: Microsemi
유품
APT100GF60JU2

APT100GF60JU2

기술: IGBT 600V 120A 416W SOT227

제조업체: Microsemi
유품
APT100GLQ65JU2

APT100GLQ65JU2

기술: POWER MODULE - IGBT

제조업체: Microsemi
유품
APT100GF60JU3

APT100GF60JU3

기술: IGBT 600V 120A 416W SOT227

제조업체: Microsemi
유품
APT100GN60LDQ4G

APT100GN60LDQ4G

기술: IGBT 600V 229A 625W TO264

제조업체: Microsemi
유품
APT100GT60JRDQ4

APT100GT60JRDQ4

기술: IGBT 600V 148A 500W SOT227

제조업체: Microsemi
유품
APT100DL60BG

APT100DL60BG

기술: DIODE GEN PURP 600V 100A TO247

제조업체: Microsemi
유품
APT10090BFLLG

APT10090BFLLG

기술: MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247

제조업체: Microsemi Corporation
유품
APT100DL60HJ

APT100DL60HJ

기술: MOD DIODE 600V SOT-227

제조업체: Microsemi
유품
APT10090BLLG

APT10090BLLG

기술: MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247

제조업체: Microsemi
유품
APT100GN120B2G

APT100GN120B2G

기술: IGBT 1200V 245A 960W TMAX

제조업체: Microsemi
유품
APT100GT60B2RG

APT100GT60B2RG

기술: IGBT 600V 148A 500W SOT247

제조업체: Microsemi
유품
APT100GT60JR

APT100GT60JR

기술: IGBT 600V 148A 500W SOT227

제조업체: Microsemi
유품
APT100GT120JU3

APT100GT120JU3

기술: IGBT 1200V 140A 480W SOT227

제조업체: Microsemi
유품
APT100GN120J

APT100GN120J

기술: IGBT 1200V 153A 446W SOT227

제조업체: Microsemi
유품
APT100GN60B2G

APT100GN60B2G

기술: IGBT 600V 229A 625W TMAX

제조업체: Microsemi
유품
APT100M50J

APT100M50J

기술: MOSFET N-CH 500V 100A SOT-227

제조업체: Microsemi
유품

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