Electronica 2024의 방문자

지금 시간을 예약하세요!

당신의 장소를 예약하고 부스 티켓을 받기 위해 몇 번의 클릭만으로도 걸립니다.

홀 C5 부스 220

사전 등록

Electronica 2024의 방문자
당신은 모두 가입합니다! 약속을 잡아 주셔서 감사합니다!
예약을 확인하면 부스 티켓을 이메일로 보내드립니다.
집 > 제품 센터 > 이산 반도체 제품 > 트랜지스터-igbt-모듈 > APT100GT60JRDQ4
RFQs/주문 (0)
한국의
한국의
1736409APT100GT60JRDQ4 이미지Microsemi

APT100GT60JRDQ4

온라인 가격 조회

연락처 정보와 함께 필요한 모든 필드를 작성하십시오. "RFQ 제출"클릭 이메일로 알려 드리겠습니다.또는 이메일을 보내주십시오.info@ftcelectronics.com

참고 가격 (미국 달러 기준)

유품
20+
$37.322
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    APT100GT60JRDQ4
  • 제조업체 / 브랜드
    Microsemi
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IGBT 600V 148A 500W SOT227
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    1.APT100GT60JRDQ4.pdf
    2.APT100GT60JRDQ4.pdf
  • 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)
    600V
  • VGE, IC에서 @ (에) VCE (최대)
    2.5V @ 15V, 100A
  • 제조업체 장치 패키지
    ISOTOP®
  • 연속
    Thunderbolt IGBT®
  • 전력 - 최대
    500W
  • 패키지 / 케이스
    ISOTOP
  • 다른 이름들
    APT100GT60JRDQ4MI
    APT100GT60JRDQ4MI-ND
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • NTC 써미스터
    No
  • 실장 형
    Chassis Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    32 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 정전 용량 (CIES) @ Vce가
    5.15nF @ 25V
  • 입력
    Standard
  • IGBT 유형
    NPT
  • 상세 설명
    IGBT Module NPT Single 600V 148A 500W Chassis Mount ISOTOP®
  • 전류 - 콜렉터 컷오프 (최대)
    50µA
  • 전류 - 콜렉터 (IC) (최대)
    148A
  • 구성
    Single

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025년1월13일

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024년12월31일

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024년12월23일

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024년12월12일

Microchip은 500 건의 해고를 발표했으며 구조 조정 비용은 3,8...

2024년12월4일

Quanta : AI 수요는 꾸준한 명령 스트림으로 계속 강력합니다.

2024년12월3일

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024년12월2일

삼성은 3D NAND 생산에서 Photoresist 사용을 크게 줄여 공급 ...

2024년12월2일

Vishay는 인수 된 NWF 웨이퍼 팹에 5,100 만 파운드를 투자 할 ...

2024년11월29일

트럼프의 관세 위협, Nvidia, Intel 공급 업체는 멕시코 계획을...

2024년11월28일

Intel은 미국 칩 법에 따라 7,800 억 달러의 보조금을 받고 110...

2024년11월27일

AMD는 방갈로르 디자인 센터의 두 번째 단계 건설을 시작합니다.

2024년11월26일
배송
지불
다음은 "APT100GT60JRDQ4"관련 제품입니다.
APT100GT120JR

APT100GT120JR

기술: IGBT 1200V 123A 570W SOT227

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT100MC120JCU2

APT100MC120JCU2

기술: MOSFET N-CH 1200V 143A ISOTOP

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT10DC120HJ

APT10DC120HJ

기술: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V SOT227

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT100M50J

APT100M50J

기술: MOSFET N-CH 500V 100A SOT-227

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT100S20LCTG

APT100S20LCTG

기술: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO264

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT10M09B2VFRG

APT10M09B2VFRG

기술: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT100GN120J

APT100GN120J

기술: IGBT 1200V 153A 446W SOT227

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT106N60B2C6

APT106N60B2C6

기술: MOSFET N-CH 600V 106A TO-247

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT100S20BG

APT100S20BG

기술: DIODE SCHOTTKY 200V 120A TO247

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT100GT120JU3

APT100GT120JU3

기술: IGBT 1200V 140A 480W SOT227

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT100GN120JDQ4

APT100GN120JDQ4

기술: IGBT 1200V 153A 446W SOT227

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT100GN60LDQ4G

APT100GN60LDQ4G

기술: IGBT 600V 229A 625W TO264

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT100GN60B2G

APT100GN60B2G

기술: IGBT 600V 229A 625W TMAX

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT102GA60B2

APT102GA60B2

기술: IGBT 600V 183A 780W TO247

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT10M07JVR

APT10M07JVR

기술: MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT100GT120JRDQ4

APT100GT120JRDQ4

기술: IGBT 1200V 123A 570W SOT227

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT100GT120JU2

APT100GT120JU2

기술: IGBT 1200V 140A 480W SOT227

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT100GT60JR

APT100GT60JR

기술: IGBT 600V 148A 500W SOT227

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT102GA60L

APT102GA60L

기술: IGBT 600V 183A 780W TO264

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT100GT60B2RG

APT100GT60B2RG

기술: IGBT 600V 148A 500W SOT247

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
우리는 유일한 공개 오픈 마켓 유통 업체로서 글로벌 액세스, 제조 업계 전문 지식 및 입증 된 품질의 고유 한 조합을 보유하고 있습니다.이를 통해 전자 부품 소싱 및 인벤토리 관리를위한 맞춤형 엔드 투 엔드 공급망 솔루션을 만들 수 있습니다.
팔로우
이용 약관침해 정책조회를 요청하다우리에 대해문의하기사이트 맵

언어 선택

종료하려면 공간을 클릭하십시오

현재 언어

국가 또는 지역을 선택하십시오.