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1016080APT106N60B2C6 이미지Microsemi

APT106N60B2C6

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유품
1+
$20.26
30+
$17.035
120+
$15.654
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규격
  • 제품 모델
    APT106N60B2C6
  • 제조업체 / 브랜드
    Microsemi
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 600V 106A TO-247
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    APT106N60B2C6.pdf
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    3.5V @ 3.4mA
  • Vgs (최대)
    ±20V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    T-MAX™ [B2]
  • 연속
    CoolMOS™
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    35 mOhm @ 53A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    833W (Tc)
  • 포장
    Tube
  • 패키지 / 케이스
    TO-247-3 Variant
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    18 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    8390pF @ 25V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    308nC @ 10V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    600V
  • 상세 설명
    N-Channel 600V 106A (Tc) 833W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    106A (Tc)

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APT100MC120JCU2

APT100MC120JCU2

기술: MOSFET N-CH 1200V 143A ISOTOP

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT100GT60JR

APT100GT60JR

기술: IGBT 600V 148A 500W SOT227

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT100S20LCTG

APT100S20LCTG

기술: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO264

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT10M11JVRU3

APT10M11JVRU3

기술: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT100S20BG

APT100S20BG

기술: DIODE SCHOTTKY 200V 120A TO247

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT100GT60JRDQ4

APT100GT60JRDQ4

기술: IGBT 600V 148A 500W SOT227

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT102GA60L

APT102GA60L

기술: IGBT 600V 183A 780W TO264

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT10M09B2VFRG

APT10M09B2VFRG

기술: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT10M11JVR

APT10M11JVR

기술: MOSFET N-CH 100V 144A ISOTOP

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT10SCD120B

APT10SCD120B

기술: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT100GT60B2RG

APT100GT60B2RG

기술: IGBT 600V 148A 500W SOT247

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT10M07JVR

APT10M07JVR

기술: MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT100M50J

APT100M50J

기술: MOSFET N-CH 500V 100A SOT-227

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT10M11JVRU2

APT10M11JVRU2

기술: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT102GA60B2

APT102GA60B2

기술: IGBT 600V 183A 780W TO247

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT10DC120HJ

APT10DC120HJ

기술: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V SOT227

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT100GT120JU3

APT100GT120JU3

기술: IGBT 1200V 140A 480W SOT227

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT10SCD120K

APT10SCD120K

기술: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT10SCD120BCT

APT10SCD120BCT

기술: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT10M11B2VFRG

APT10M11B2VFRG

기술: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
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