Electronica 2024의 방문자

지금 시간을 예약하세요!

당신의 장소를 예약하고 부스 티켓을 받기 위해 몇 번의 클릭만으로도 걸립니다.

홀 C5 부스 220

사전 등록

Electronica 2024의 방문자
당신은 모두 가입합니다! 약속을 잡아 주셔서 감사합니다!
예약을 확인하면 부스 티켓을 이메일로 보내드립니다.
집 > 제품 센터 > 이산 반도체 제품 > 트랜지스터-이그bts-단일 > APT102GA60L
RFQs/주문 (0)
한국의
한국의
71843APT102GA60L 이미지Microsemi

APT102GA60L

온라인 가격 조회

연락처 정보와 함께 필요한 모든 필드를 작성하십시오. "RFQ 제출"클릭 이메일로 알려 드리겠습니다.또는 이메일을 보내주십시오.info@ftcelectronics.com

참고 가격 (미국 달러 기준)

유품
50+
$13.671
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    APT102GA60L
  • 제조업체 / 브랜드
    Microsemi
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IGBT 600V 183A 780W TO264
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    APT102GA60L.pdf
  • 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)
    600V
  • VGE, IC에서 @ (에) VCE (최대)
    2.5V @ 15V, 62A
  • 시험 조건
    400V, 62A, 4.7 Ohm, 15V
  • Td (온 / 오프) @ 25 ° C
    28ns/212ns
  • 에너지 전환
    1.354mJ (on), 1.614mJ (off)
  • 제조업체 장치 패키지
    TO-264 [L]
  • 연속
    -
  • 전력 - 최대
    780W
  • 포장
    Tube
  • 패키지 / 케이스
    TO-264-3, TO-264AA
  • 다른 이름들
    APT102GA60LMI
    APT102GA60LMI-ND
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    26 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 유형
    Standard
  • IGBT 유형
    PT
  • 게이트 충전
    294nC
  • 상세 설명
    IGBT PT 600V 183A 780W Through Hole TO-264 [L]
  • 전류 - 콜렉터 펄스 (ICM)
    307A
  • 전류 - 콜렉터 (IC) (최대)
    183A

KIOXIA는 11 월 22 일에 상장 승인을 받고 시장 가치는 50 억 ...

2024년11월21일

Tower Semiconductor의 최신 실리콘 광학 플랫폼

2024년11월20일

업계는 천천히 회복됩니다.Epitaxial 공급 업체 IQE는 중국 대...

2024년11월19일

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024년11월19일

The core value and future development trend of passive comp...

2024년11월18일

공급 업체 : 많은 RTX 50 시리즈 GPU 구성 요소가 12 월에 제공...

2024년11월18일

대만, 중국 반도체의 출력 가치는 올해 22% 증가한 $ 5.3 ...

2024년11월17일

OLED 패널 생산 확장 LG 디스플레이는 베트남에 10 억 달러를 ...

2024년11월15일

아마존

2024년11월14일

Pegatron의 Q3 순이익은 NT $ 4.296 Billion, 분기별로 23.1...

2024년11월13일

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024년11월13일

한국은 트럼프의 위협에 대항하기 위해 칩 법을 제정 할 계획입...

2024년11월13일
배송
지불
다음은 "APT102GA60L"관련 제품입니다.
APT10M09B2VFRG

APT10M09B2VFRG

기술: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT100GT120JU3

APT100GT120JU3

기술: IGBT 1200V 140A 480W SOT227

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT10DC120HJ

APT10DC120HJ

기술: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V SOT227

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT10M11JVRU2

APT10M11JVRU2

기술: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT10SCD120B

APT10SCD120B

기술: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT100S20LCTG

APT100S20LCTG

기술: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO264

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT10SCD120BCT

APT10SCD120BCT

기술: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT10M11B2VFRG

APT10M11B2VFRG

기술: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT100GT120JU2

APT100GT120JU2

기술: IGBT 1200V 140A 480W SOT227

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT106N60B2C6

APT106N60B2C6

기술: MOSFET N-CH 600V 106A TO-247

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT100GT60JRDQ4

APT100GT60JRDQ4

기술: IGBT 600V 148A 500W SOT227

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT102GA60B2

APT102GA60B2

기술: IGBT 600V 183A 780W TO247

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT100S20BG

APT100S20BG

기술: DIODE SCHOTTKY 200V 120A TO247

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT10M11JVRU3

APT10M11JVRU3

기술: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT100GT60B2RG

APT100GT60B2RG

기술: IGBT 600V 148A 500W SOT247

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT100MC120JCU2

APT100MC120JCU2

기술: MOSFET N-CH 1200V 143A ISOTOP

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT10M11JVR

APT10M11JVR

기술: MOSFET N-CH 100V 144A ISOTOP

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT100GT60JR

APT100GT60JR

기술: IGBT 600V 148A 500W SOT227

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT100M50J

APT100M50J

기술: MOSFET N-CH 500V 100A SOT-227

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT10M07JVR

APT10M07JVR

기술: MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
우리는 유일한 공개 오픈 마켓 유통 업체로서 글로벌 액세스, 제조 업계 전문 지식 및 입증 된 품질의 고유 한 조합을 보유하고 있습니다.이를 통해 전자 부품 소싱 및 인벤토리 관리를위한 맞춤형 엔드 투 엔드 공급망 솔루션을 만들 수 있습니다.
팔로우
이용 약관침해 정책조회를 요청하다우리에 대해문의하기사이트 맵

언어 선택

종료하려면 공간을 클릭하십시오

현재 언어

국가 또는 지역을 선택하십시오.