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APT100GN60B2G

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유품
60+
$9.441
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    APT100GN60B2G
  • 제조업체 / 브랜드
    Microsemi
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IGBT 600V 229A 625W TMAX
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    1.APT100GN60B2G.pdf
    2.APT100GN60B2G.pdf
  • 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)
    600V
  • VGE, IC에서 @ (에) VCE (최대)
    1.85V @ 15V, 100A
  • 시험 조건
    400V, 100A, 1 Ohm, 15V
  • Td (온 / 오프) @ 25 ° C
    31ns/310ns
  • 에너지 전환
    4.7mJ (on), 2.675mJ (off)
  • 연속
    -
  • 전력 - 최대
    625W
  • 포장
    Tube
  • 패키지 / 케이스
    TO-247-3 Variant
  • 작동 온도
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    18 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 유형
    Standard
  • IGBT 유형
    Trench Field Stop
  • 게이트 충전
    600nC
  • 상세 설명
    IGBT Trench Field Stop 600V 229A 625W Through Hole
  • 전류 - 콜렉터 펄스 (ICM)
    300A
  • 전류 - 콜렉터 (IC) (최대)
    229A

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APT100GT120JU3

APT100GT120JU3

기술: IGBT 1200V 140A 480W SOT227

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT100GT120JU2

APT100GT120JU2

기술: IGBT 1200V 140A 480W SOT227

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT100GN60LDQ4G

APT100GN60LDQ4G

기술: IGBT 600V 229A 625W TO264

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT100DL60BG

APT100DL60BG

기술: DIODE GEN PURP 600V 100A TO247

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT100M50J

APT100M50J

기술: MOSFET N-CH 500V 100A SOT-227

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT100MC120JCU2

APT100MC120JCU2

기술: MOSFET N-CH 1200V 143A ISOTOP

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT100GN120B2G

APT100GN120B2G

기술: IGBT 1200V 245A 960W TMAX

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT100GF60JU3

APT100GF60JU3

기술: IGBT 600V 120A 416W SOT227

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT100DL60HJ

APT100DL60HJ

기술: MOD DIODE 600V SOT-227

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT100GLQ65JU2

APT100GLQ65JU2

기술: POWER MODULE - IGBT

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT100GF60JU2

APT100GF60JU2

기술: IGBT 600V 120A 416W SOT227

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT100GN120JDQ4

APT100GN120JDQ4

기술: IGBT 1200V 153A 446W SOT227

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT100GT120JR

APT100GT120JR

기술: IGBT 1200V 123A 570W SOT227

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT100GT120JRDQ4

APT100GT120JRDQ4

기술: IGBT 1200V 123A 570W SOT227

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT100GT60B2RG

APT100GT60B2RG

기술: IGBT 600V 148A 500W SOT247

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT100GT60JRDQ4

APT100GT60JRDQ4

기술: IGBT 600V 148A 500W SOT227

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT10090BLLG

APT10090BLLG

기술: MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT100F50J

APT100F50J

기술: MOSFET N-CH 500V 103A SOT227

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT100GN120J

APT100GN120J

기술: IGBT 1200V 153A 446W SOT227

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT100GT60JR

APT100GT60JR

기술: IGBT 600V 148A 500W SOT227

제조업체: Microsemi
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