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4338082APT34M120J 이미지Microsemi

APT34M120J

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유품
1+
$55.31
10+
$52.061
30+
$48.807
100+
$46.529
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규격
  • 제품 모델
    APT34M120J
  • 제조업체 / 브랜드
    Microsemi
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 1200V 34A SOT-227
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    1.APT34M120J.pdf
    2.APT34M120J.pdf
  • ECAD 모델
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    5V @ 2.5mA
  • Vgs (최대)
    ±30V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    SOT-227
  • 연속
    -
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    300 mOhm @ 25A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    960W (Tc)
  • 포장
    Tube
  • 패키지 / 케이스
    SOT-227-4, miniBLOC
  • 다른 이름들
    APT34M120JMI
    APT34M120JMI-ND
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Chassis Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    17 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    18200pF @ 25V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    560nC @ 10V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    1200V
  • 상세 설명
    N-Channel 1200V 35A (Tc) 960W (Tc) Chassis Mount SOT-227
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    35A (Tc)

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APT34M60B

APT34M60B

기술: MOSFET N-CH 600V 36A TO-247

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT35GP120BG

APT35GP120BG

기술: IGBT 1200V 96A 543W TO247

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT33N90JCU3

APT33N90JCU3

기술: MOSFET N-CH 900V 33A SOT227

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT34F60BG

APT34F60BG

기술: MOSFET N-CH 600V 34A TO-247

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT35GP120B2DQ2G

APT35GP120B2DQ2G

기술: IGBT 1200V 96A 543W TMAX

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT34F100B2

APT34F100B2

기술: MOSFET N-CH 1000V 35A T-MAX

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT35GN120BG

APT35GN120BG

기술: IGBT 1200V 94A 379W TO247

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT34F60B

APT34F60B

기술: MOSFET N-CH 600V 34A TO-247

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT34F100L

APT34F100L

기술: MOSFET N-CH 1000V 35A TO264

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT33GF120BRG

APT33GF120BRG

기술: IGBT 1200V 52A 297W TO247

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT33N90JCU2

APT33N90JCU2

기술: MOSFET N-CH 900V 33A SOT227

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT33N90JCCU3

APT33N90JCCU3

기술: MOSFET N-CH 900V 33A SOT227

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT35GA90B

APT35GA90B

기술: IGBT 900V 63A 290W TO-247

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT33N90JCCU2

APT33N90JCCU2

기술: MOSFET N-CH 900V 33A SOT227

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT35DL120HJ

APT35DL120HJ

기술: DIODE MODULE 1.2KV SOT227

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT35GN120L2DQ2G

APT35GN120L2DQ2G

기술: IGBT 1200V 94A 379W TO264

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT34N80B2C3G

APT34N80B2C3G

기술: MOSFET N-CH 800V 34A T-MAX

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT33GF120LRDQ2G

APT33GF120LRDQ2G

기술: IGBT 1200V 64A 357W TO264

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT34N80LC3G

APT34N80LC3G

기술: MOSFET N-CH 800V 34A TO-264

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT35GA90BD15

APT35GA90BD15

기술: IGBT 900V 63A 290W TO247

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
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