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APT35GP120B2DQ2G

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유품
1+
$21.70
10+
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30+
$18.248
120+
$16.769
270+
$15.289
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규격
  • 제품 모델
    APT35GP120B2DQ2G
  • 제조업체 / 브랜드
    Microsemi
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IGBT 1200V 96A 543W TMAX
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    1.APT35GP120B2DQ2G.pdf
    2.APT35GP120B2DQ2G.pdf
  • ECAD 모델
  • 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)
    1200V
  • VGE, IC에서 @ (에) VCE (최대)
    3.9V @ 15V, 35A
  • 시험 조건
    600V, 35A, 4.3 Ohm, 15V
  • Td (온 / 오프) @ 25 ° C
    16ns/95ns
  • 에너지 전환
    750µJ (on), 680µJ (off)
  • 연속
    POWER MOS 7®
  • 전력 - 최대
    543W
  • 포장
    Tube
  • 패키지 / 케이스
    TO-247-3 Variant
  • 다른 이름들
    APT35GP120B2DQ2GMI
    APT35GP120B2DQ2GMI-ND
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    32 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 유형
    Standard
  • IGBT 유형
    PT
  • 게이트 충전
    150nC
  • 상세 설명
    IGBT PT 1200V 96A 543W Through Hole
  • 전류 - 콜렉터 펄스 (ICM)
    140A
  • 전류 - 콜렉터 (IC) (최대)
    96A

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APT35GN120L2DQ2G

APT35GN120L2DQ2G

기술: IGBT 1200V 94A 379W TO264

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT34N80B2C3G

APT34N80B2C3G

기술: MOSFET N-CH 800V 34A T-MAX

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT35GP120JDQ2

APT35GP120JDQ2

기술: IGBT 1200V 64A 284W SOT227

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT35GP120J

APT35GP120J

기술: IGBT 1200V 64A 284W SOT227

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT36GA60B

APT36GA60B

기술: IGBT 600V 65A 290W TO-247

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT35GA90B

APT35GA90B

기술: IGBT 900V 63A 290W TO-247

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT35SM70S

APT35SM70S

기술: MOSFET N-CH 700V D3PAK

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT35GP120BG

APT35GP120BG

기술: IGBT 1200V 96A 543W TO247

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT35GA90BD15

APT35GA90BD15

기술: IGBT 900V 63A 290W TO247

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT34M60B

APT34M60B

기술: MOSFET N-CH 600V 36A TO-247

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT35GT120JU3

APT35GT120JU3

기술: IGBT 1200V 55A 260W SOT227

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT35GN120BG

APT35GN120BG

기술: IGBT 1200V 94A 379W TO247

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT34M120J

APT34M120J

기술: MOSFET N-CH 1200V 34A SOT-227

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT34F60BG

APT34F60BG

기술: MOSFET N-CH 600V 34A TO-247

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT36N90BC3G

APT36N90BC3G

기술: MOSFET N-CH 900V 36A TO-247

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT35SM70B

APT35SM70B

기술: MOSFET N-CH 700V TO247

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT35DL120HJ

APT35DL120HJ

기술: DIODE MODULE 1.2KV SOT227

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT34N80LC3G

APT34N80LC3G

기술: MOSFET N-CH 800V 34A TO-264

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT36GA60BD15

APT36GA60BD15

기술: IGBT 600V 65A 290W TO-247

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT35GT120JU2

APT35GT120JU2

기술: IGBT 1200V 35A 260W SOT-227

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
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