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APT36GA60BD15

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10+
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30+
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270+
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510+
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1020+
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규격
  • 제품 모델
    APT36GA60BD15
  • 제조업체 / 브랜드
    Microsemi
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IGBT 600V 65A 290W TO-247
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    APT36GA60BD15.pdf
  • 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)
    600V
  • VGE, IC에서 @ (에) VCE (최대)
    2.5V @ 15V, 20A
  • 시험 조건
    400V, 20A, 10 Ohm, 15V
  • Td (온 / 오프) @ 25 ° C
    16ns/122ns
  • 에너지 전환
    307µJ (on), 254µJ (off)
  • 제조업체 장치 패키지
    TO-247 [B]
  • 연속
    POWER MOS 8™
  • 전력 - 최대
    290W
  • 포장
    Tube
  • 패키지 / 케이스
    TO-247-3
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    29 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 유형
    Standard
  • IGBT 유형
    PT
  • 게이트 충전
    18nC
  • 상세 설명
    IGBT PT 600V 65A 290W Through Hole TO-247 [B]
  • 전류 - 콜렉터 펄스 (ICM)
    109A
  • 전류 - 콜렉터 (IC) (최대)
    65A

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APT37F50S

APT37F50S

기술: MOSFET N-CH 500V 37A D3PAK

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT36N90BC3G

APT36N90BC3G

기술: MOSFET N-CH 900V 36A TO-247

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT38F50J

APT38F50J

기술: MOSFET N-CH 500V 38A SOT-227

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT35SM70S

APT35SM70S

기술: MOSFET N-CH 700V D3PAK

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT35GT120JU2

APT35GT120JU2

기술: IGBT 1200V 35A 260W SOT-227

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT37M100B2

APT37M100B2

기술: MOSFET N-CH 1000V 37A T-MAX

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT38F80L

APT38F80L

기술: MOSFET N-CH 800V 41A TO-264

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT38F80B2

APT38F80B2

기술: MOSFET N-CH 800V 41A T-MAX

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT37M100L

APT37M100L

기술: MOSFET N-CH 1000V 37A TO-264

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT36GA60B

APT36GA60B

기술: IGBT 600V 65A 290W TO-247

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT35SM70B

APT35SM70B

기술: MOSFET N-CH 700V TO247

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT35GP120J

APT35GP120J

기술: IGBT 1200V 64A 284W SOT227

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT35GP120BG

APT35GP120BG

기술: IGBT 1200V 96A 543W TO247

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT35GT120JU3

APT35GT120JU3

기술: IGBT 1200V 55A 260W SOT227

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT35GP120JDQ2

APT35GP120JDQ2

기술: IGBT 1200V 64A 284W SOT227

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT37F50B

APT37F50B

기술: MOSFET N-CH 500V 37A TO-247

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT38M50J

APT38M50J

기술: MOSFET N-CH 500V 38A ISOTOP

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT38N60BC6

APT38N60BC6

기술: MOSFET N-CH 600V 38A TO-247

제조업체: Microsemi
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RFQ
APT35GN120L2DQ2G

APT35GN120L2DQ2G

기술: IGBT 1200V 94A 379W TO264

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT35GP120B2DQ2G

APT35GP120B2DQ2G

기술: IGBT 1200V 96A 543W TMAX

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
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