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APT36N90BC3G

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유품
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$25.59
30+
$21.756
120+
$20.22
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규격
  • 제품 모델
    APT36N90BC3G
  • 제조업체 / 브랜드
    Microsemi
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 900V 36A TO-247
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    APT36N90BC3G.pdf
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    3.5V @ 2.9mA
  • Vgs (최대)
    ±20V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    TO-247 [B]
  • 연속
    CoolMOS™
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    120 mOhm @ 18A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    390W (Tc)
  • 포장
    Tube
  • 패키지 / 케이스
    TO-247-3
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    18 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    7463pF @ 25V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    252nC @ 10V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    Super Junction
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    900V
  • 상세 설명
    N-Channel 900V 36A (Tc) 390W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    36A (Tc)

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APT35GP120JDQ2

APT35GP120JDQ2

기술: IGBT 1200V 64A 284W SOT227

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT35SM70S

APT35SM70S

기술: MOSFET N-CH 700V D3PAK

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT35GP120BG

APT35GP120BG

기술: IGBT 1200V 96A 543W TO247

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT35SM70B

APT35SM70B

기술: MOSFET N-CH 700V TO247

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT36GA60B

APT36GA60B

기술: IGBT 600V 65A 290W TO-247

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT35GP120B2DQ2G

APT35GP120B2DQ2G

기술: IGBT 1200V 96A 543W TMAX

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT38N60SC6

APT38N60SC6

기술: MOSFET N-CH 600V 38A D3PAK

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT37M100L

APT37M100L

기술: MOSFET N-CH 1000V 37A TO-264

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT38N60BC6

APT38N60BC6

기술: MOSFET N-CH 600V 38A TO-247

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT38M50J

APT38M50J

기술: MOSFET N-CH 500V 38A ISOTOP

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT37M100B2

APT37M100B2

기술: MOSFET N-CH 1000V 37A T-MAX

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT36GA60BD15

APT36GA60BD15

기술: IGBT 600V 65A 290W TO-247

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT38F80B2

APT38F80B2

기술: MOSFET N-CH 800V 41A T-MAX

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT35GT120JU3

APT35GT120JU3

기술: IGBT 1200V 55A 260W SOT227

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT38F50J

APT38F50J

기술: MOSFET N-CH 500V 38A SOT-227

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT38F80L

APT38F80L

기술: MOSFET N-CH 800V 41A TO-264

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT37F50S

APT37F50S

기술: MOSFET N-CH 500V 37A D3PAK

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT37F50B

APT37F50B

기술: MOSFET N-CH 500V 37A TO-247

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT35GT120JU2

APT35GT120JU2

기술: IGBT 1200V 35A 260W SOT-227

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT35GP120J

APT35GP120J

기술: IGBT 1200V 64A 284W SOT227

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
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