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APT35GA90B

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  • 제품 모델
    APT35GA90B
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IGBT 900V 63A 290W TO-247
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
  • ECAD 모델
  • 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)
    900V
  • VGE, IC에서 @ (에) VCE (최대)
    3.1V @ 15V, 18A
  • 시험 조건
    600V, 18A, 10 Ohm, 15V
  • Td (온 / 오프) @ 25 ° C
    12ns/104ns
  • 에너지 전환
    642µJ (on), 382µJ (off)
  • 제조업체 장치 패키지
    TO-247 [B]
  • 연속
    POWER MOS 8™
  • 전력 - 최대
    290W
  • 포장
    Tube
  • 패키지 / 케이스
    TO-247-3
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    26 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 유형
    Standard
  • IGBT 유형
    PT
  • 게이트 충전
    84nC
  • 상세 설명
    IGBT PT 900V 63A 290W Through Hole TO-247 [B]
  • 전류 - 콜렉터 펄스 (ICM)
    105A
  • 전류 - 콜렉터 (IC) (최대)
    63A
APT35GA90BD15

APT35GA90BD15

기술: IGBT 900V 63A 290W TO247

제조업체: Microsemi
유품
APT34M60B

APT34M60B

기술: MOSFET N-CH 600V 36A TO-247

제조업체: Microsemi
유품
APT35GT120JU2

APT35GT120JU2

기술: IGBT 1200V 35A 260W SOT-227

제조업체: Microsemi
유품
APT34F100L

APT34F100L

기술: MOSFET N-CH 1000V 35A TO264

제조업체: Microsemi
유품
APT35GP120B2DQ2G

APT35GP120B2DQ2G

기술: IGBT 1200V 96A 543W TMAX

제조업체: Microsemi
유품
APT35GN120BG

APT35GN120BG

기술: IGBT 1200V 94A 379W TO247

제조업체: Microsemi
유품
APT35GT120JU3

APT35GT120JU3

기술: IGBT 1200V 55A 260W SOT227

제조업체: Microsemi
유품
APT33N90JCU3

APT33N90JCU3

기술: MOSFET N-CH 900V 33A SOT227

제조업체: Microsemi
유품
APT34M120J

APT34M120J

기술: MOSFET N-CH 1200V 34A SOT-227

제조업체: Microsemi
유품
APT34F100B2

APT34F100B2

기술: MOSFET N-CH 1000V 35A T-MAX

제조업체: Microsemi
유품
APT35SM70B

APT35SM70B

기술: MOSFET N-CH 700V TO247

제조업체: Microsemi
유품
APT34N80B2C3G

APT34N80B2C3G

기술: MOSFET N-CH 800V 34A T-MAX

제조업체: Microsemi
유품
APT35GP120BG

APT35GP120BG

기술: IGBT 1200V 96A 543W TO247

제조업체: Microsemi
유품
APT35GN120L2DQ2G

APT35GN120L2DQ2G

기술: IGBT 1200V 94A 379W TO264

제조업체: Microsemi
유품
APT35GP120J

APT35GP120J

기술: IGBT 1200V 64A 284W SOT227

제조업체: Microsemi
유품
APT34F60BG

APT34F60BG

기술: MOSFET N-CH 600V 34A TO-247

제조업체: Microsemi
유품
APT35GP120JDQ2

APT35GP120JDQ2

기술: IGBT 1200V 64A 284W SOT227

제조업체: Microsemi
유품
APT35DL120HJ

APT35DL120HJ

기술: DIODE MODULE 1.2KV SOT227

제조업체: Microsemi
유품
APT34F60B

APT34F60B

기술: MOSFET N-CH 600V 34A TO-247

제조업체: Microsemi
유품
APT34N80LC3G

APT34N80LC3G

기술: MOSFET N-CH 800V 34A TO-264

제조업체: Microsemi
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