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APT43M60B2

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유품
60+
$13.085
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    APT43M60B2
  • 제조업체 / 브랜드
    Microsemi
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 600V 45A T-MAX
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    1.APT43M60B2.pdf
    2.APT43M60B2.pdf
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    5V @ 2.5mA
  • Vgs (최대)
    ±30V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    T-MAX™ [B2]
  • 연속
    POWER MOS 8™
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    150 mOhm @ 21A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    780W (Tc)
  • 포장
    Tube
  • 패키지 / 케이스
    TO-247-3 Variant
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    23 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    8590pF @ 25V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    215nC @ 10V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    600V
  • 상세 설명
    N-Channel 600V 45A (Tc) 780W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    45A (Tc)

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APT42F50B

APT42F50B

기술: MOSFET N-CH 500V 42A TO-247

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT45GP120JDQ2

APT45GP120JDQ2

기술: IGBT 1200V 75A 329W SOT227

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT43GA90B

APT43GA90B

기술: IGBT 900V 78A 337W TO-247

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT44GA60B

APT44GA60B

기술: IGBT 600V 78A 337W TO-247

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT43F60L

APT43F60L

기술: MOSFET N-CH 600V 45A TO-264

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT41M80B2

APT41M80B2

기술: MOSFET N-CH 800V 43A T-MAX

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT43M60L

APT43M60L

기술: MOSFET N-CH 600V 45A TO-264

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT44GA60BD30C

APT44GA60BD30C

기술: IGBT 600V 78A 337W TO247

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT43GA90BD30

APT43GA90BD30

기술: IGBT 900V 78A 337W TO247

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT44GA60BD30

APT44GA60BD30

기술: IGBT 600V 78A 337W TO-247

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT41F100J

APT41F100J

기술: MOSFET N-CH 1000V 41A SOT-227

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT44F80L

APT44F80L

기술: MOSFET N-CH 800V 44A TO-264

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT45GP120J

APT45GP120J

기술: IGBT 1200V 75A 329W SOT227

제조업체: Microsemi
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APT45GP120B2DQ2G

APT45GP120B2DQ2G

기술: IGBT 1200V 113A 625W TMAX

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT44F80B2

APT44F80B2

기술: MOSFET N-CH 800V 47A T-MAX

제조업체: Microsemi
유품
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APT40SM120S

APT40SM120S

기술: MOSFET N-CH 1200V 41A D3PAK

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT41M80L

APT41M80L

기술: MOSFET N-CH 800V 43A TO-264

제조업체: Microsemi
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RFQ
APT45GP120BG

APT45GP120BG

기술: IGBT 1200V 100A 625W TO247

제조업체: Microsemi
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RFQ
APT42F50S

APT42F50S

기술: MOSFET N-CH 500V 42A D3PAK

제조업체: Microsemi
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APT43F60B2

APT43F60B2

기술: MOSFET N-CH 600V 45A T-MAX

제조업체: Microsemi
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