다음은 "APT45GP120B2DQ2G"관련 제품입니다.
기술: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
제조업체: Microsemi
유품
기술: MOSFET N-CH 800V 47A T-MAX
제조업체: Microsemi
유품
기술: MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227
제조업체: Microsemi
유품
기술: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
제조업체: Microsemi
유품
기술: IGBT 650V 92A 357W TO-247
제조업체: Microsemi
유품
기술: MOSFET N-CH 600V 45A TO-264
제조업체: Microsemi
유품
기술: MOSFET N-CH 600V 45A T-MAX
제조업체: Microsemi
유품
기술: MOSFET N-CH 600V 45A TO-264
제조업체: Microsemi
유품
기술: IGBT 900V 87A 284W SOT-227
제조업체: Microsemi
유품
기술: IGBT 900V 78A 337W TO-247
제조업체: Microsemi
유품
기술: IGBT 600V 78A 337W TO-247
제조업체: Microsemi
유품
기술: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
제조업체: Microsemi
유품
기술: IGBT 600V 78A 337W TO-247
제조업체: Microsemi
유품
기술: MOSFET N-CH 800V 44A TO-264
제조업체: Microsemi
유품
기술: IGBT 900V 78A 337W TO247
제조업체: Microsemi
유품
기술: IGBT 600V 78A 337W TO247
제조업체: Microsemi
유품
기술: IGBT 1200V 75A 329W SOT227
제조업체: Microsemi
유품
기술: IGBT 1200V 100A 625W TO247
제조업체: Microsemi
유품
기술: MOSFET N-CH 1000V 45A SOT-227
제조업체: Microsemi
유품
기술: IGBT 1200V 75A 329W SOT227
제조업체: Microsemi
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