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APT45GP120BG

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유품
1+
$21.18
10+
$19.257
30+
$17.812
120+
$16.368
270+
$14.924
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    APT45GP120BG
  • 제조업체 / 브랜드
    Microsemi
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IGBT 1200V 100A 625W TO247
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    1.APT45GP120BG.pdf
    2.APT45GP120BG.pdf
  • 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)
    1200V
  • VGE, IC에서 @ (에) VCE (최대)
    3.9V @ 15V, 45A
  • 시험 조건
    600V, 45A, 5 Ohm, 15V
  • Td (온 / 오프) @ 25 ° C
    18ns/102ns
  • 에너지 전환
    900µJ (on), 904µJ (off)
  • 제조업체 장치 패키지
    TO-247 [B]
  • 연속
    POWER MOS 7®
  • 전력 - 최대
    625W
  • 포장
    Tube
  • 패키지 / 케이스
    TO-247-3
  • 다른 이름들
    APT45GP120BGMI
    APT45GP120BGMI-ND
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    23 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 유형
    Standard
  • IGBT 유형
    PT
  • 게이트 충전
    185nC
  • 상세 설명
    IGBT PT 1200V 100A 625W Through Hole TO-247 [B]
  • 전류 - 콜렉터 펄스 (ICM)
    170A
  • 전류 - 콜렉터 (IC) (최대)
    100A

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APT45GR65B

APT45GR65B

기술: IGBT 650V 92A 357W TO-247

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT45GP120J

APT45GP120J

기술: IGBT 1200V 75A 329W SOT227

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT45GR65SSCD10

APT45GR65SSCD10

기술: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT43M60B2

APT43M60B2

기술: MOSFET N-CH 600V 45A T-MAX

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT45GP120JDQ2

APT45GP120JDQ2

기술: IGBT 1200V 75A 329W SOT227

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT44F80B2

APT44F80B2

기술: MOSFET N-CH 800V 47A T-MAX

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT45M100J

APT45M100J

기술: MOSFET N-CH 1000V 45A SOT-227

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT44GA60B

APT44GA60B

기술: IGBT 600V 78A 337W TO-247

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT44F80L

APT44F80L

기술: MOSFET N-CH 800V 44A TO-264

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT45GR65B2DU30

APT45GR65B2DU30

기술: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT43GA90B

APT43GA90B

기술: IGBT 900V 78A 337W TO-247

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT45GP120B2DQ2G

APT45GP120B2DQ2G

기술: IGBT 1200V 113A 625W TMAX

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT43GA90BD30

APT43GA90BD30

기술: IGBT 900V 78A 337W TO247

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT47GA60JD40

APT47GA60JD40

기술: IGBT 600V 87A 283W SOT-227

제조업체: Microsemi Corporation
유품
RFQ
APT45GR65BSCD10

APT45GR65BSCD10

기술: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT44GA60BD30C

APT44GA60BD30C

기술: IGBT 600V 78A 337W TO247

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT43M60L

APT43M60L

기술: MOSFET N-CH 600V 45A TO-264

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT47F60J

APT47F60J

기술: MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT46GA90JD40

APT46GA90JD40

기술: IGBT 900V 87A 284W SOT-227

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT44GA60BD30

APT44GA60BD30

기술: IGBT 600V 78A 337W TO-247

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
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