Electronica 2024의 방문자

지금 시간을 예약하세요!

당신의 장소를 예약하고 부스 티켓을 받기 위해 몇 번의 클릭만으로도 걸립니다.

홀 C5 부스 220

사전 등록

Electronica 2024의 방문자
당신은 모두 가입합니다! 약속을 잡아 주셔서 감사합니다!
예약을 확인하면 부스 티켓을 이메일로 보내드립니다.
집 > 제품 센터 > 이산 반도체 제품 > 트랜지스터-이그bts-단일 > APT45GR65SSCD10
RFQs/주문 (0)
한국의
한국의
62443

APT45GR65SSCD10

온라인 가격 조회

연락처 정보와 함께 필요한 모든 필드를 작성하십시오. "RFQ 제출"클릭 이메일로 알려 드리겠습니다.또는 이메일을 보내주십시오.info@ftcelectronics.com
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    APT45GR65SSCD10
  • 제조업체 / 브랜드
    Microsemi
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)
    650V
  • VGE, IC에서 @ (에) VCE (최대)
    2.4V @ 15V, 45A
  • 시험 조건
    433V, 45A, 4.3 Ohm, 15V
  • Td (온 / 오프) @ 25 ° C
    15ns/100ns
  • 제조업체 장치 패키지
    D3Pak
  • 연속
    -
  • 역 회복 시간 (trr)
    80ns
  • 전력 - 최대
    543W
  • 포장
    Bulk
  • 패키지 / 케이스
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 유형
    Standard
  • IGBT 유형
    NPT
  • 게이트 충전
    203nC
  • 상세 설명
    IGBT NPT 650V 118A 543W Surface Mount D3Pak
  • 전류 - 콜렉터 펄스 (ICM)
    224A
  • 전류 - 콜렉터 (IC) (최대)
    118A

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025년1월13일

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024년12월31일

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024년12월23일

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024년12월12일

Microchip은 500 건의 해고를 발표했으며 구조 조정 비용은 3,8...

2024년12월4일

Quanta : AI 수요는 꾸준한 명령 스트림으로 계속 강력합니다.

2024년12월3일

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024년12월2일

삼성은 3D NAND 생산에서 Photoresist 사용을 크게 줄여 공급 ...

2024년12월2일

Vishay는 인수 된 NWF 웨이퍼 팹에 5,100 만 파운드를 투자 할 ...

2024년11월29일

트럼프의 관세 위협, Nvidia, Intel 공급 업체는 멕시코 계획을...

2024년11월28일

Intel은 미국 칩 법에 따라 7,800 억 달러의 보조금을 받고 110...

2024년11월27일

AMD는 방갈로르 디자인 센터의 두 번째 단계 건설을 시작합니다.

2024년11월26일
배송
지불
다음은 "APT45GR65SSCD10"관련 제품입니다.
APT45GP120J

APT45GP120J

기술: IGBT 1200V 75A 329W SOT227

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT47N60BC3G

APT47N60BC3G

기술: MOSFET N-CH 600V 47A TO-247

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT47N60SC3G

APT47N60SC3G

기술: MOSFET N-CH 600V 47A D3PAK

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT45GP120JDQ2

APT45GP120JDQ2

기술: IGBT 1200V 75A 329W SOT227

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT47M60J

APT47M60J

기술: MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT45GR65BSCD10

APT45GR65BSCD10

기술: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT47N65SCS3G

APT47N65SCS3G

기술: MOSFET N-CH 650V 47A TO-247

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT44GA60B

APT44GA60B

기술: IGBT 600V 78A 337W TO-247

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT45GR65B2DU30

APT45GR65B2DU30

기술: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT44GA60BD30C

APT44GA60BD30C

기술: IGBT 600V 78A 337W TO247

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT45M100J

APT45M100J

기술: MOSFET N-CH 1000V 45A SOT-227

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT44GA60BD30

APT44GA60BD30

기술: IGBT 600V 78A 337W TO-247

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT48M80B2

APT48M80B2

기술: MOSFET N-CH 800V 48A T-MAX

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT47F60J

APT47F60J

기술: MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT46GA90JD40

APT46GA90JD40

기술: IGBT 900V 87A 284W SOT-227

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT47N65BC3G

APT47N65BC3G

기술: MOSFET N-CH 650V 47A TO-247

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT45GP120B2DQ2G

APT45GP120B2DQ2G

기술: IGBT 1200V 113A 625W TMAX

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT45GP120BG

APT45GP120BG

기술: IGBT 1200V 100A 625W TO247

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT45GR65B

APT45GR65B

기술: IGBT 650V 92A 357W TO-247

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT47GA60JD40

APT47GA60JD40

기술: IGBT 600V 87A 283W SOT-227

제조업체: Microsemi Corporation
유품
RFQ
우리는 유일한 공개 오픈 마켓 유통 업체로서 글로벌 액세스, 제조 업계 전문 지식 및 입증 된 품질의 고유 한 조합을 보유하고 있습니다.이를 통해 전자 부품 소싱 및 인벤토리 관리를위한 맞춤형 엔드 투 엔드 공급망 솔루션을 만들 수 있습니다.
팔로우
이용 약관침해 정책조회를 요청하다우리에 대해문의하기사이트 맵

언어 선택

종료하려면 공간을 클릭하십시오

현재 언어

국가 또는 지역을 선택하십시오.