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APT47F60J

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유품
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온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    APT47F60J
  • 제조업체 / 브랜드
    Microsemi
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    APT47F60J.pdf
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    5V @ 2.5mA
  • Vgs (최대)
    ±30V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    ISOTOP®
  • 연속
    POWER MOS 8™
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    90 mOhm @ 33A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    540W (Tc)
  • 포장
    Tube
  • 패키지 / 케이스
    SOT-227-4, miniBLOC
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Chassis Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    27 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    13190pF @ 25V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    330nC @ 10V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    600V
  • 상세 설명
    N-Channel 600V 49A (Tc) 540W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    49A (Tc)

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APT47M60J

APT47M60J

기술: MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT45GR65B2DU30

APT45GR65B2DU30

기술: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT47N65SCS3G

APT47N65SCS3G

기술: MOSFET N-CH 650V 47A TO-247

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT45GP120BG

APT45GP120BG

기술: IGBT 1200V 100A 625W TO247

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT47GA60JD40

APT47GA60JD40

기술: IGBT 600V 87A 283W SOT-227

제조업체: Microsemi Corporation
유품
RFQ
APT45M100J

APT45M100J

기술: MOSFET N-CH 1000V 45A SOT-227

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT45GR65SSCD10

APT45GR65SSCD10

기술: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT4F120K

APT4F120K

기술: MOSFET N-CH 1200V 4A TO-220

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT48M80L

APT48M80L

기술: MOSFET N-CH 800V 48A TO-264

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT45GP120J

APT45GP120J

기술: IGBT 1200V 75A 329W SOT227

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT45GR65BSCD10

APT45GR65BSCD10

기술: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT46GA90JD40

APT46GA90JD40

기술: IGBT 900V 87A 284W SOT-227

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT4M120K

APT4M120K

기술: MOSFET N-CH 1200V 5A TO220

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT48M80B2

APT48M80B2

기술: MOSFET N-CH 800V 48A T-MAX

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT45GP120JDQ2

APT45GP120JDQ2

기술: IGBT 1200V 75A 329W SOT227

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT47N60SC3G

APT47N60SC3G

기술: MOSFET N-CH 600V 47A D3PAK

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT45GR65B

APT45GR65B

기술: IGBT 650V 92A 357W TO-247

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT47N60BC3G

APT47N60BC3G

기술: MOSFET N-CH 600V 47A TO-247

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT47N65BC3G

APT47N65BC3G

기술: MOSFET N-CH 650V 47A TO-247

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT45GP120B2DQ2G

APT45GP120B2DQ2G

기술: IGBT 1200V 113A 625W TMAX

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
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