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A2G22S251-01SR3

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규격
  • 제품 모델
    A2G22S251-01SR3
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
  • 사양서
  • 전압 - 테스트
    48V
  • 전압 - 정격
    125V
  • 트랜지스터 유형
    LDMOS
  • 제조업체 장치 패키지
    NI-400S-2S
  • 연속
    -
  • 전력 - 출력
    52dBm
  • 패키지 / 케이스
    NI-400S-2S
  • 다른 이름들
    935313179528
  • 잡음 지수
    -
  • 이득
    17.7dB
  • 회수
    1.805GHz ~ 2.2GHz
  • 상세 설명
    RF Mosfet LDMOS 48V 200mA 1.805GHz ~ 2.2GHz 17.7dB 52dBm NI-400S-2S
  • 정격 전류
    -
  • 전류 - 테스트
    200mA
NE5531079A-T1A-A

NE5531079A-T1A-A

기술: FET RF 30V 460MHZ 79A

제조업체: CEL (California Eastern Laboratories)
유품
A2G35S160-01SR3

A2G35S160-01SR3

기술: AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR

제조업체: NXP Semiconductors / Freescale
유품
3SK291(TE85L,F)

3SK291(TE85L,F)

기술: MOSFET N-CH SMQ

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
PTFA180701FV4R0XTMA1

PTFA180701FV4R0XTMA1

기술: RF MOSFET LDMOS 28V H-37265-2

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
A2G26H281-04SR3

A2G26H281-04SR3

기술: AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR

제조업체: NXP Semiconductors / Freescale
유품
BF998WR,115

BF998WR,115

기술: MOSFET N-CH 12V 30MA SOT343R

제조업체: NXP Semiconductors / Freescale
유품
CGHV96050F2

CGHV96050F2

기술: RF MOSFET HEMT 40V 440210

제조업체: Cree Wolfspeed
유품
NE3510M04-T2-A

NE3510M04-T2-A

기술: FET RF 4V 4GHZ M04

제조업체: CEL (California Eastern Laboratories)
유품
A2T27S020NR1

A2T27S020NR1

기술: AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO

제조업체: NXP Semiconductors / Freescale
유품
A2T18H160-24SR3

A2T18H160-24SR3

기술: IC TRANS RF LDMOS

제조업체: NXP Semiconductors / Freescale
유품
BLF6G10-45,112

BLF6G10-45,112

기술: RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT608A

제조업체: Ampleon
유품
MRF176GV

MRF176GV

기술: FET RF 2CH 125V 225MHZ 375-04

제조업체: Aeroflex (MACOM Technology Solutions)
유품
A2G26H280-04SR3

A2G26H280-04SR3

기술: AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR

제조업체: NXP Semiconductors / Freescale
유품
BLF644PU

BLF644PU

기술: RF FET LDMOS 65V 23.5DB SOT1228A

제조업체: Ampleon
유품
A2G22S160-01SR3

A2G22S160-01SR3

기술: IC TRANS RF LDMOS

제조업체: NXP Semiconductors / Freescale
유품
PTFA192001E1V4XWSA1

PTFA192001E1V4XWSA1

기술: FET RF 65V 1.99GHZ H-36260-2

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
A2G35S200-01SR3

A2G35S200-01SR3

기술: AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR

제조업체: NXP Semiconductors / Freescale
유품
BF1009SE6327HTSA1

BF1009SE6327HTSA1

기술: MOSFET N-CH 12V 25MA SOT-143

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
BLF861A,112

BLF861A,112

기술: RF FET LDMOS 65V 14.5DB SOT540A

제조업체: Ampleon
유품
BLF2425M8LS140U

BLF2425M8LS140U

기술: RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502B

제조업체: Ampleon
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