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A2G35S200-01SR3

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규격
  • 제품 모델
    A2G35S200-01SR3
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
  • 사양서
  • 전압 - 테스트
    48V
  • 전압 - 정격
    125V
  • 트랜지스터 유형
    LDMOS
  • 제조업체 장치 패키지
    NI-400S-2S
  • 연속
    -
  • 전력 - 출력
    180W
  • 패키지 / 케이스
    NI-400S-2S
  • 다른 이름들
    935320919118
  • 잡음 지수
    -
  • 이득
    16.1dB
  • 회수
    3.4GHz ~ 3.6GHz
  • 상세 설명
    RF Mosfet LDMOS 48V 291mA 3.4GHz ~ 3.6GHz 16.1dB 180W NI-400S-2S
  • 정격 전류
    -
  • 전류 - 테스트
    291mA
A2G26H281-04SR3

A2G26H281-04SR3

기술: AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR

제조업체: NXP Semiconductors / Freescale
유품
A2G35S160-01SR3

A2G35S160-01SR3

기술: AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR

제조업체: NXP Semiconductors / Freescale
유품
BLC9H10XS-350AZ

BLC9H10XS-350AZ

기술: BLC9H10XS-350A/SOT1273/TRAYDP

제조업체: Ampleon
유품
A2G26H280-04SR3

A2G26H280-04SR3

기술: AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR

제조업체: NXP Semiconductors / Freescale
유품
A2G22S160-01SR3

A2G22S160-01SR3

기술: IC TRANS RF LDMOS

제조업체: NXP Semiconductors / Freescale
유품
PXAC241702FC-V1-R0

PXAC241702FC-V1-R0

기술: IC AMP RF LDMOS H-37248-4

제조업체: Cree Wolfspeed
유품
BF1101WR,115

BF1101WR,115

기술: MOSFET N-CH 7V DUAL SOT343R

제조업체: NXP Semiconductors / Freescale
유품
PTFA041501HL V1 R250

PTFA041501HL V1 R250

기술: IC FET RF LDMOS 150W PG-64248-2

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
BLF2425M7L140,112

BLF2425M7L140,112

기술: RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502A

제조업체: Ampleon
유품
MRFG35003ANR5

MRFG35003ANR5

기술: FET RF 15V 3.55GHZ PLD-1.5

제조업체: NXP Semiconductors / Freescale
유품
MMRF1016HR5

MMRF1016HR5

기술: FET RF 2CH 120V 225MHZ

제조업체: NXP Semiconductors / Freescale
유품
PD55025

PD55025

기술: FET RF 40V 500MHZ PWRSO-10

제조업체: STMicroelectronics
유품
MRF6VP3450HR6

MRF6VP3450HR6

기술: FET RF 2CH 110V 860MHZ NI-1230

제조업체: NXP Semiconductors / Freescale
유품
MRF5S4140HR3

MRF5S4140HR3

기술: FET RF 65V 465MHZ NI-780

제조업체: NXP Semiconductors / Freescale
유품
BLC9G20XS-400AVT

BLC9G20XS-400AVT

기술: RF FET LDMOS 65V 16.2DB SOT12587

제조업체: Ampleon
유품
BLF25M612G,118

BLF25M612G,118

기술: RF FET LDMOS 65V 19DB SOT975C

제조업체: Ampleon
유품
A2G22S251-01SR3

A2G22S251-01SR3

기술: AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR

제조업체: NXP Semiconductors / Freescale
유품
BLM7G1822S-80PBY

BLM7G1822S-80PBY

기술: RF FET LDMOS 65V 28DB SOT12122

제조업체: Ampleon
유품
NE25139-T1

NE25139-T1

기술: FET RF 13V 900MHZ SOT-143

제조업체: CEL (California Eastern Laboratories)
유품
MRF8S19140HR3

MRF8S19140HR3

기술: FET RF 65V 1.96GHZ NI780H

제조업체: NXP Semiconductors / Freescale
유품

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